Semicorex ले विभिन्न प्रकारका 4H र 6H SiC वेफरहरू प्रदान गर्दछ। हामी धेरै वर्षदेखि वेफर्सको निर्माता र आपूर्तिकर्ता हो। हाम्रो डबल-पालिश गरिएको 6 इन्च एन-टाइप SiC वेफरसँग राम्रो मूल्य लाभ छ र यसले अधिकांश युरोपेली र अमेरिकी बजारहरू कभर गर्दछ। हामी चीनमा तपाईंको दीर्घकालीन साझेदार बन्न तत्पर छौं।
Semicorex सँग पूर्ण सिलिकन कार्बाइड (SiC) वेफर उत्पादन लाइन छ, 4H र 6H सब्सट्रेटहरू सहित N-प्रकार, P-प्रकार र उच्च शुद्धता अर्ध-इन्सुलेटिंग वेफरहरू, तिनीहरू एपिटेक्सीसँग वा बिना हुन सक्छन्। हाम्रो 4-इन्च एन-टाइप SiC (सिलिकन कार्बाइड) सब्सट्रेट एक प्रकारको उच्च-गुणस्तरको वेफर हो जुन सिलिकन कार्बाइडको एकल क्रिस्टलबाट एन-टाइप डोपिङको साथ बनाइएको छ, जुन डबल पालिश गरिएको छ।
6 इन्च एन-टाइप SiC वेफर मुख्यतया नयाँ ऊर्जा सवारी साधनहरू, उच्च-भोल्टेज प्रसारण र सबस्टेशन, सेतो सामानहरू, उच्च-गति ट्रेनहरू, इलेक्ट्रिक मोटरहरू, फोटोभोल्टिक इन्भर्टरहरू, पल्स्ड पावर सप्लाई र अन्य क्षेत्रहरूमा प्रयोग गरिन्छ, जसमा उपकरणहरू घटाउने फाइदाहरू छन्। ऊर्जा हानि, उपकरण विश्वसनीयता सुधार, उपकरण आकार घटाउने र उपकरण प्रदर्शन सुधार, र पावर इलेक्ट्रोनिक उपकरणहरू बनाउन अपूरणीय फाइदाहरू छन्।
वस्तुहरू |
उत्पादन |
अनुसन्धान |
डमी |
क्रिस्टल प्यारामिटरहरू |
|||
पोलिटाइप |
4H |
||
सतह अभिमुखीकरण त्रुटि |
<11-20 > 4±0.15° |
||
विद्युतीय मापदण्डहरू |
|||
डोपन्ट |
n-प्रकार नाइट्रोजन |
||
प्रतिरोधात्मकता |
०.०१५-०.०२५ओम·सेमी |
||
मेकानिकल प्यारामिटरहरू |
|||
व्यास |
150.0±0.2mm |
||
मोटाई |
350±25 ¼m |
||
प्राथमिक समतल अभिमुखीकरण |
[१-१००]±५° |
||
प्राथमिक समतल लम्बाइ |
४७.५±१.५ मिमी |
||
माध्यमिक फ्ल्याट |
कुनै पनि छैन |
||
TTV |
â¤5 μm |
â¤10 μm |
â¤15 μm |
LTV |
â¤3 μm(5mm*5mm) |
â¤5 μm(5mm*5mm) |
â¤10 μm(5mm*5mm) |
ढोग |
-15μm ~ 15μm |
-35μm ~ 35μm |
-45μm ~ 45μm |
ताना |
â¤35 μm |
â¤45 μm |
â¤55 μm |
अगाडि (सि-फेस) रफनेस (AFM) |
Raâ¤0.2nm (5μm*5μm) |
||
संरचना |
|||
माइक्रोपाइप घनत्व |
<1 ea/cm2 |
<10 ea/cm2 |
<15 ea/cm2 |
धातु अशुद्धता |
â¤5E10 परमाणु/cm2 |
NA |
|
BPD |
â¤1500 ea/cm2 |
â¤3000 ea/cm2 |
NA |
TSD |
â¤500 ea/cm2 |
â¤1000 ea/cm2 |
NA |
अगाडि गुणस्तर |
|||
अगाडि |
सि |
||
सतह समाप्त |
सि-फेस CMP |
||
कणहरू |
â¤60ea/wafer (sizeâ¥0.3μm) |
NA |
|
खरोंचहरू |
â¤5ea/mm। संचयी लम्बाइ ⤠व्यास |
संचयी लम्बाइâ¤2*व्यास |
NA |
सुन्तलाको बोक्रा/पिट्स/दाग/धारा/चरा/दूषित |
कुनै पनि छैन |
NA |
|
किनारा चिप्स/इन्डेन्टहरू/फ्र्याक्चर/हेक्स प्लेटहरू |
कुनै पनि छैन |
||
पोलिटाइप क्षेत्रहरू |
कुनै पनि छैन |
संचयी क्षेत्र⤠२०% |
संचयी क्षेत्र 30% |
अगाडि लेजर मार्किंग |
कुनै पनि छैन |
||
पछाडि गुणस्तर |
|||
पछाडि समाप्त |
C-अनुहार CMP |
||
खरोंचहरू |
â¤5ea/mm, संचयी लम्बाइâ¤2*व्यास |
NA |
|
पछाडिका दोषहरू (एज चिप्स/इन्डेन्टहरू) |
कुनै पनि छैन |
||
पछाडिको खुरदुरापन |
Raâ¤0.2nm (5μm*5μm) |
||
पछाडि लेजर मार्किंग |
1 मिमी (शीर्ष किनाराबाट) |
||
किनारा |
|||
किनारा |
च्याम्फर |
||
प्याकेजिङ |
|||
प्याकेजिङ |
भ्याकुम प्याकेजिङ संग Epi-तयार बहु-वेफर क्यासेट प्याकेजिङ |
||
*Notesï¼ "NA" भनेको कुनै अनुरोध नगरिएको वस्तुले SEMI-STD लाई सन्दर्भ गर्न सक्छ। |