चीन SiC सब्सट्रेट निर्माता, आपूर्तिकर्ता, कारखाना

अर्धचालक सामग्रीको पातलो टुक्रालाई वेफर भनिन्छ, जुन धेरै शुद्ध एकल-क्रिस्टल सामग्रीबाट बनेको हुन्छ। Czochralski प्रक्रियामा, अत्यधिक शुद्ध मोनोक्रिस्टलाइन अर्धचालकको एक बेलनाकार इन्गट पग्लिएको बीउ क्रिस्टल तानेर बनाइन्छ।

सिलिकन कार्बाइड (SiC) र यसको पोलिटाइपहरू लामो समयदेखि मानव सभ्यताको एक हिस्सा भएका छन्; यस कडा र स्थिर कम्पाउन्डको प्राविधिक चासो 1885 र 1892 मा काउलेस र एचेसन द्वारा पीस र काट्ने उद्देश्यका लागि महसुस गरिएको थियो, जसले यसको उत्पादन ठूलो मात्रामा गर्न थाल्यो।

उत्कृष्ट भौतिक र रासायनिक गुणहरूले सिलिकन कार्बाइड (SiC) लाई उच्च-तापमान, उच्च-शक्ति, र उच्च-फ्रिक्वेन्सी र अप्टोइलेक्ट्रोनिक उपकरणहरू, फ्यूजन रिएक्टरहरूमा संरचनात्मक घटक, ग्यास-कूल्डको लागि क्लेडिङ सामग्री सहित विभिन्न प्रकारका अनुप्रयोगहरूको लागि एक प्रमुख उम्मेद्वार बनाउँछ। विखंडन रिएक्टरहरू, र पु को ट्रान्सम्युटेशनको लागि एक अक्रिय म्याट्रिक्स। SiC को विभिन्न पाली-प्रकारहरू जस्तै 3C, 6H, र 4H व्यापक रूपमा प्रयोग गरिएको छ। पी-टाइप र एन-टाइप SiC वेफर्सहरू बनाउनको लागि Si-आधारित यन्त्रहरूको उत्पादनको लागि डोपेन्टहरू छनौट रूपमा परिचय गराउनको लागि आयन इम्प्लान्टेशन एउटा महत्त्वपूर्ण प्रविधि हो।

इन्गटत्यसपछि सिलिकन कार्बाइड SiC वेफर्स बनाउन काटिन्छ।

सिलिकन कार्बाइड सामाग्री गुण

विभिन्न प्रकारका SiC वेफर्स

त्यहाँ तीन प्रकार छन्:n-प्रकार sic वेफर, p-प्रकार sic वेफररउच्च शुद्धता अर्ध-इन्सुलेट sic वेफर। डोपिङले सिलिकन क्रिस्टलमा अशुद्धताहरू परिचय गराउने आयन इम्प्लान्टेशनलाई जनाउँछ। यी डोपेन्टहरूले क्रिस्टलको परमाणुहरूलाई आयनिक बन्डहरू बनाउन अनुमति दिन्छ, एक पटक भित्री क्रिस्टल बाह्य बनाउँछ। यस प्रक्रियाले दुई प्रकारका अशुद्धताहरू परिचय गराउँछ; N-प्रकार र P-प्रकार। यो बन्ने 'प्रकार' रासायनिक प्रतिक्रिया सिर्जना गर्न प्रयोग गरिने सामग्रीहरूमा निर्भर गर्दछ। N-type र P-type SiC वेफर बीचको भिन्नता डोपिङको समयमा रासायनिक प्रतिक्रिया सिर्जना गर्न प्रयोग गरिने प्राथमिक सामग्री हो। प्रयोग गरिएको सामग्रीको आधारमा, बाहिरी कक्षमा या त पाँच वा तीन इलेक्ट्रोनहरू हुन्छन् जसमा एउटा नकारात्मक चार्ज (N-प्रकार) र एउटा सकारात्मक रूपमा चार्ज गरिएको (P-प्रकार) हुन्छ।

एन-टाइप SiC वेफरहरू मुख्यतया नयाँ ऊर्जा सवारी साधनहरू, उच्च-भोल्टेज प्रसारण र सबस्टेशन, सेतो सामानहरू, उच्च-गतिको रेलहरू, मोटरहरू, फोटोभोल्टिक इन्भर्टरहरू, पल्स पावर सप्लाईहरू, इत्यादिमा प्रयोग गरिन्छ। तिनीहरूसँग उपकरणहरूको ऊर्जा हानि कम गर्ने, सुधार गर्ने फाइदाहरू छन्। उपकरणको विश्वसनीयता, उपकरणको आकार घटाउने र उपकरणको कार्यसम्पादन सुधार गर्ने, र पावर इलेक्ट्रोनिक उपकरणहरू बनाउनमा अपूरणीय फाइदाहरू छन्।

उच्च शुद्धता अर्ध-इन्सुलेटिंग SiC वेफर मुख्यतया उच्च शक्ति RF यन्त्रहरूको सब्सट्रेटको रूपमा प्रयोग गरिन्छ।

Epitaxy - III-V नाइट्राइड निक्षेप

SiC, GaN, AlxGa1-xN र InyGa1-yN एपिटेक्सियल तहहरू SiC सब्सट्रेट वा नीलमणि सब्सट्रेटमा।