चीन वेफर निर्माता, आपूर्तिकर्ता, कारखाना

अर्धचालक वेफर के हो?

सेमीकन्डक्टर वेफर अर्धचालक सामग्रीको पातलो, गोलो टुक्रा हो जसले एकीकृत सर्किट (आईसी) र अन्य इलेक्ट्रोनिक उपकरणहरूको निर्माणको लागि आधारको रूपमा कार्य गर्दछ। वेफरले समतल र समान सतह प्रदान गर्दछ जसमा विभिन्न इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्टहरू बनाइन्छ।

वेफर उत्पादन प्रक्रियाले धेरै चरणहरू समावेश गर्दछ, जसमा इच्छित अर्धचालक सामग्रीको ठूलो एकल क्रिस्टल बढाउने, हीराको आरा प्रयोग गरेर क्रिस्टललाई पातलो वेफरमा काट्ने, र त्यसपछि कुनै पनि सतहको दोष वा अशुद्धताहरू हटाउन वेफरहरूलाई पालिस गर्ने र सफा गर्ने। नतिजा वेफर्सको अत्यधिक समतल र चिल्लो सतह हुन्छ, जुन पछिको निर्माण प्रक्रियाहरूको लागि महत्त्वपूर्ण हुन्छ।

एकपटक वेफरहरू तयार भएपछि, तिनीहरूले इलेक्ट्रोनिक कम्पोनेन्टहरू निर्माण गर्न आवश्यक जटिल ढाँचाहरू र तहहरू सिर्जना गर्न फोटोलिथोग्राफी, नक्काशी, निक्षेप, र डोपिङ जस्ता अर्धचालक निर्माण प्रक्रियाहरूको एक श्रृंखला पार गर्छन्। यी प्रक्रियाहरू बहु एकीकृत सर्किट वा अन्य उपकरणहरू सिर्जना गर्न एकल वेफरमा धेरै पटक दोहोर्याइन्छ।

निर्माण प्रक्रिया पूरा भएपछि, व्यक्तिगत चिपहरू पूर्वनिर्धारित रेखाहरूसँग वेफरलाई डाइस गरेर अलग गरिन्छ। अलग गरिएका चिपहरू त्यसपछि तिनीहरूलाई सुरक्षित गर्न र इलेक्ट्रोनिक उपकरणहरूमा एकीकरणको लागि विद्युतीय जडानहरू प्रदान गर्न प्याकेज गरिन्छ।

वेफरमा विभिन्न सामग्रीहरू

सेमीकन्डक्टर वेफर्स मुख्यतया एकल-क्रिस्टल सिलिकनबाट बनाइन्छ किनभने यसको प्रशस्तता, उत्कृष्ट विद्युतीय गुणहरू, र मानक अर्धचालक निर्माण प्रक्रियाहरूसँग अनुकूलता। यद्यपि, विशिष्ट अनुप्रयोगहरू र आवश्यकताहरूमा निर्भर गर्दै, अन्य सामग्रीहरू पनि वेफर्स बनाउन प्रयोग गर्न सकिन्छ। यहाँ केही उदाहरणहरू छन्:

सिलिकन कार्बाइड (SiC): SiC यसको उत्कृष्ट थर्मल चालकता र उच्च-तापमान कार्यसम्पादनको लागि परिचित एक चौडा-ब्यान्डग्याप अर्धचालक सामग्री हो। SiC वेफर्सहरू पावर कन्भर्टरहरू, इन्भर्टरहरू र विद्युतीय सवारी साधनहरू जस्ता उच्च-शक्ति इलेक्ट्रोनिक उपकरणहरूमा प्रयोग गरिन्छ।

ग्यालियम नाइट्राइड (GaN): GaN एक असाधारण पावर ह्यान्डलिङ क्षमता भएको चौडा ब्यान्डग्याप अर्धचालक सामग्री हो। GaN वेफरहरू पावर इलेक्ट्रोनिक उपकरणहरू, उच्च-फ्रिक्वेन्सी एम्पलीफायरहरू, र LEDs (प्रकाश उत्सर्जन गर्ने डायोडहरू) को उत्पादनमा प्रयोग गरिन्छ।

ग्यालियम आर्सेनाइड (GaAs): GaAs अर्को सामान्य सामग्री हो जुन वेफर्सका लागि प्रयोग गरिन्छ, विशेष गरी उच्च-फ्रिक्वेन्सी र उच्च-गति अनुप्रयोगहरूमा। GaAs वेफर्सले निश्चित इलेक्ट्रोनिक उपकरणहरू, जस्तै RF (रेडियो फ्रिक्वेन्सी) र माइक्रोवेभ उपकरणहरूको लागि राम्रो प्रदर्शन प्रदान गर्दछ।

Indium Phosphide (InP): InP उत्कृष्ट इलेक्ट्रोन गतिशीलता भएको सामग्री हो र प्रायः लेजरहरू, फोटोडिटेक्टरहरू, र उच्च-गति ट्रान्जिस्टरहरू जस्ता ओप्टोइलेक्ट्रोनिक उपकरणहरूमा प्रयोग गरिन्छ। InP wafers फाइबर अप्टिक संचार, उपग्रह संचार, र उच्च गति डाटा प्रसारण मा आवेदन को लागी उपयुक्त छ।