C/C कम्पोजिट क्रूसिबल सपोर्ट रडहरू

C/C कम्पोजिट क्रुसिबल सपोर्ट रडहरू सामान्यतया उच्च-तापमान एकल क्रिस्टल वृद्धि भट्टीहरूको तल्लो क्षेत्रमा राखिएको हुन्छ, यी अपरिहार्य घटकहरू जस्तै एकल-क्रिस्टल सिलिकन वृद्धिको लागि एक कुशल र स्थिर थर्मल फिल्ड प्रणाली गठन गर्दछ।C/C क्रुसिबल धारकहरू, C/Cक्रूसिबलहरूरC/C इन्सुलेशन सिलिन्डरहरू। तिनीहरूले क्रुसिबल र आन्तरिक पग्लिएको सिलिकनको लागि स्थिर समर्थन प्रदान गर्न सक्छन् र एकल-क्रिस्टल सिलिकन वृद्धिको आवश्यकताहरू पूरा गर्न क्रुसिबलको सटीक रोटेशन र लिफ्टिङ प्राप्त गर्न सक्छन्।

1. उल्लेखनीय थर्मल प्रदर्शन

कार्बन-कार्बन कम्पोजिटले असाधारण थर्मल प्रतिरोध र थर्मल स्थिरताको घमण्ड गरेको हुनाले, सेमिकोरेक्स सी/सी कम्पोजिट क्रुसिबल सपोर्ट रडहरूले 1600 देखि 2200 ℃ सम्मको तापक्रममा भरपर्दो रूपमा काम गर्न सक्छ र सजिलै क्र्याक वा क्षति नगरी द्रुत तापमान परिवर्तनहरू सामना गर्न सक्छ।

2. विश्वसनीय मेकानिकल बल

कार्बन-कार्बन कम्पोजिटहरूमा उच्च मेकानिकल बल र लोचदार मोड्युलस हुन्छ, र तिनीहरूको शक्ति उच्च-तापमान सञ्चालन अवस्थाहरूमा कोठाको तापक्रममा भन्दा बढी हुन सक्छ। यो ठ्याक्कै यो भरपर्दो विशेषताको कारण हो कि Semicorex C/C कम्पोजिट क्रुसिबल समर्थन रडहरूले क्रुसिबलको तौल र भित्रको सिलिकन सामग्रीको ठूलो मात्रालाई टुट्ने खतरा बिना नै सामना गर्न सक्छ।

3. हल्का संरचना

कार्बन-कार्बन कम्पोजिटपरम्परागत ग्रेफाइट सामाग्री भन्दा कम घनत्व छ, जसको मतलब तिनीहरू पारंपरिक ग्रेफाइट सामग्री भन्दा धेरै हल्का छन्। सेमिकोरेक्स C/C कम्पोजिट क्रुसिबल सपोर्ट रडको समग्र तौल यस उत्कृष्ट हल्का तौल संरचनाको लागि धेरै कम गर्न सकिन्छ, जसले उपकरण ह्यान्डलिङ, प्रतिस्थापन र मर्मतसम्भारमा सुविधा ल्याउँछ।

4. सुपीरियर जंग प्रतिरोध

एकल-क्रिस्टल सिलिकनको बृद्धिको क्रममा, सिलिकन वाष्पले एकल-क्रिस्टल सिलिकन वृद्धि भट्टी भित्रका कम्पोनेन्टहरू कुरुड गर्न सक्छ। कार्बन-कार्बन कम्पोजिटहरूले सिलिकन भाप क्षरणको लागि उत्कृष्ट प्रतिरोध प्रदर्शन गर्दछ, जसले उच्च-तापमान र सिलिकन वाष्प अवस्थाहरूमा स्थिर संरचनात्मक अखण्डता र लगातार प्रदर्शन कायम गर्न Semicorex C/C कम्पोजिट क्रुसिबल समर्थन रडहरूलाई सक्षम बनाउँछ।