LNOI वेफर

यसको विपरीत, लिथियम नियोब्रेट पातलो फिल्म (LNOI वेफर) एक उल्लेखनीय रिफाइजपूर्ण सूचकालो विपरीत र एक मात्र स्क्वायरर क्रस-सेक्सनहरूको झुकावको रेडि revice ्गमा। यसले उच्च-घनत्व फोटोन एकीकरणको लागि अनुमति दिन्छ, कडा प्रकाश कैदमा, प्रकाश र पदार्थको बीच अन्तर्क्रिया बढाउँदछ।

Lanoi वेफरहरु बिभिन्न प्रविधिहरु को प्रयोग गरी तयार गर्न सकिन्छ, पैताना लेजर जम्मा, जेल-जेल विधिहरू, RF Mag artetron sputtering, र रासायनिक बाफ कम्पनी। यद्यपि यी प्रविधिहरूबाट लिनोले अक्सर पोलिसीक्रिस्टल स्टेट प्रदर्शन गर्दछ, बढ्दो हल्का प्रसारण नोक्सान गर्न अग्रसर हुन्छ। थप रूपमा, फिल्मको भौतिक गुणहरू र एकल क्रिस्टल ln को भौतिक गुणहरू बीच एउटा पर्याप्त आम छ, जुन नकारात्मकले फोटोनिक उपकरणहरूको प्रदर्शन गर्दछ।

LNOI वेफर तयारी गर्नका लागि इष्टतम विधिले आकृतिको संयोजन, सीधा सम्बन्ध, र थर्मल एनानिंग, जो शारीरिक ln बाट ln फिल्मबाट छिर्दै छ र यसलाई सबमिट गर्नको लागि छ। पीसिंग र पोलिशिंग प्रविधिले उच्च-गुणवत्ता LNOI उत्पादन गर्न सक्दछ। यस दृष्टिकोणले इनामको इलेक्ट्रीमेन्टको समयमा LN क्रिस्टल जातीलाई क्षति पुर्याउँछ र क्रिस्टल गुणवत्ताको क्षति पुर्याउँछ, यो कडा नियन्त्रण फिल्म मोटाईको एकरूपतामा अभ्यास गरिएको छ। LNOI wafers not only retain essential properties like electro-optical, acousto-optic, and nonlinear optical characteristics but also maintain a single crystal structure, which is beneficial for achieving low optical transmission loss.

अप्टिकल वंशावलीहरू एकीकृत फोटोनिक्समा मौलिक उपकरणहरू हुन्, र उनीहरूको तयारीका लागि विभिन्न विधिहरू छन्। Lanoi वेफरमा भ्रुड मगरणहरू पारंविद् प्रसारण जस्ता परम्परागत प्रविधिको प्रयोग गरेर स्थापना गर्न सकिन्छ। एलएन रासायनिक रूपमा विकृत भएकोले, सजिलै ए्ट एटियोड सामग्रीहरू लोनोमा लोनोमा जम्मा गर्न सकिन्छ। स्ट्रिपहरू लोडका लागि उपयुक्त सामग्रीहरू, Sio2, SIO2, COIN2, COREX, Choogenide गिलास, र सिकान समावेश गर्दछ। रासायनिक मेकानिकल पोलसिंग विधि प्रयोग गरेर एक Lonoi अप्टिकल वेभगगुर्डले 0.0227 डीएम / सेमीको प्रचार गुमाएको छ; यद्यपि यसको उथले वेभगार्ड साइडवालले सानो झुकाव राइआईआईसँग लहरग्राफहरूको प्राप्ति जटिल बनाउँदछ। Lonoi whafer strolgegud, एक प्लाज्मा ecching विधि प्रयोग गरेर तयार, केवल 0.027 डीबी / सेमी को एक प्रसारण नोक्सान प्राप्त। यसले एक ठूलो माइलस्टोन प्रतिनिधित्व गर्दछ, जुन ठूलो-मापनको फोटोन एकीकरण र एकल फोटोन-स्तर प्रशोधन साकार गर्न सकिन्छ। अप्टिकल वेभ मोडाइजका अतिरिक्त, धेरै उच्च प्रदर्शन फोटोसोनिक उपकरणहरू लीनोमा माइक्रो-रिंग / माइक्रो-डिस्क अनुनादहरू, अन्त्य र ग्राउटि tarces दम्पतीहरू सहित विकसित भएका छन्। कार्यात्मक फोटोनिक उपकरणहरू पनि सफलतापूर्वक सिर्जना गरिएको छ। Lithium nobiphth Operwidth Optwithune Opteerulter संवैधानिक मोडवाद को लागी एक अपवाद को अपीकृत इलेक्ट्रो-अप्टिकल र nonlinear अप्टिकल प्रभावहरु लाई पिएन। LN पनि एक acousto-oppic प्रभाव प्रदर्शन गर्दछ। Lunsto-optic माच-जेहेन्डर मोड्युर्टरले निलम्बन jothernult स्पाइन्डल एक्सप्रेस फिक्सललाई ऑपोमेंश संकेतमा रूपान्तरित रूपमा 1 150000 एनएमको तरंगमा प्रकाशित गरेको छ, कुशल माइक्रोवेयर-अप्टिकल स gul ्ग्रेजा स ge ्ग्रेजी रूपान्तरण।

थप रूपमा, Acousto-Oppicic मोड्युलेटर नीलमणि को उच्च ध्वनि ट्रंकन को कारण निलम्बन सबमिट को आवश्यकता को आवश्यकता मा बनाएको, जसले ध्वनी लहर चुहावटलाई कम गर्न मद्दत गर्दछ। LNOI मा विकसित एकीकृत एक्वेस्टो-अप्टिक फीचर शिफरले एल्युमिनियम नाइट्रिडल फिल्ममा बनाएको एल्यूमिनियम शिफ्ट एग्रीन्स प्रदर्शन गर्दछ। अग्रिमरहरू पनि विरलै पृथ्वी-डोपिड Lanoi प्रयोग गर्दै लेसरहरू र एम्पल्टाइफरमा गरिएको छ। यद्यपि, लनो वेज्जरको दुर्लभ पृथ्वी-डोपिड क्षेत्रहरूले सञ्चार अप्टिकल ब्यान्डमा महत्वपूर्ण प्रकाश अवशोषण प्रदर्शन गर्दछ, जसले ठूलो मात्रामा फोटोननिक एकीकरणमा बाधा पुर्याउँछ। LNOI मा स्थानीय दुर्लभ पृथ्वी डूपिंगमा अन्वेषण गर्दा यस मुद्दाको समाधान प्रदान गर्न सक्दछ। Amorifashas सिलिकन फोटोवेक्सेक्टर बनाउन LNOI मा जम्मा गर्न सकिन्छ। परिणामस्वरूप धातु-अर्धवान्डुनिक र धातु फोटोडेन्टार्टरहरूले 63 535-8500 एनएम को तरंग मा 12--37 M / W को उत्तरदायित्व देखाउँछन्। एकै साथ, हेरोगोस्टल गरी III-v अर्धविचुभेक्टर लेजर्स र फिक्सक्टरहरूले यस सामग्रीको बलर्स र डिटेक्टरहरू विकासका लागि एक व्यवस्थित समाधान प्रस्तुत गर्छन्। जे होस्, तयारी प्रक्रिया जटिल र महँगो छ, लागत कम गर्न र सफलता दर बढाउन सुधारहरू।