SiC epitaxy के हो?

सिलिकन कार्बाइड (SiC) epitaxy अर्धचालकहरूको क्षेत्रमा विशेष गरी उच्च शक्ति इलेक्ट्रोनिक उपकरणहरूको विकासको लागि एक प्रमुख प्रविधि हो। SiC फराकिलो ब्यान्डग्याप भएको कम्पाउण्ड सेमीकन्डक्टर हो, जसले यसलाई उच्च-तापमान र उच्च-भोल्टेज सञ्चालन आवश्यक पर्ने अनुप्रयोगहरूको लागि आदर्श बनाउँछ।

SiC epitaxy रासायनिक वाष्प निक्षेप (CVD) वा आणविक बीम epitaxy (MBE) प्रविधिहरू प्रयोग गरेर सब्सट्रेट, सामान्यतया सिलिकनमा क्रिस्टलीय सामग्रीको पातलो तह बढाउने प्रक्रिया हो। एपिटेक्सियल तहमा सब्सट्रेटको रूपमा समान क्रिस्टल संरचना र अभिविन्यास छ, जसले दुई सामग्रीहरू बीच उच्च-गुणस्तरको इन्टरफेसको गठनको लागि अनुमति दिन्छ।

SiC epitaxy लाई पावर इलेक्ट्रोनिक्सको विकासमा व्यापक रूपमा प्रयोग गरिएको छ, जसमा पावर उपकरणहरू जस्तै डायोडहरू, ट्रान्जिस्टरहरू र thyristors समावेश छन्। यी यन्त्रहरू विद्युतीय सवारी साधन, नवीकरणीय ऊर्जा प्रणाली र बिजुली आपूर्ति जस्ता विभिन्न अनुप्रयोगहरूमा प्रयोग गरिन्छ।

हालका वर्षहरूमा, विद्युतीय सवारी साधन र नवीकरणीय ऊर्जा प्रणालीहरू जस्ता अनुप्रयोगहरूको लागि उच्च-शक्ति उपकरणहरूको निर्माणको लागि SiC epitaxy को विकासमा बढ्दो चासो रहेको छ। यी उपकरणहरूको माग आगामी वर्षहरूमा द्रुत रूपमा बढ्ने अपेक्षा गरिएको छ, अधिक कुशल र दिगो ऊर्जा प्रणालीहरूको आवश्यकताद्वारा संचालित।

यस मागको प्रतिक्रियामा, अनुसन्धानकर्ताहरू र कम्पनीहरूले गुणस्तर सुधार गर्न र प्रक्रियाको लागत घटाउनमा ध्यान केन्द्रित गर्दै SiC epitaxy प्रविधिको विकासमा लगानी गरिरहेका छन्। उदाहरणका लागि, केही कम्पनीहरूले प्रति वेफर लागत कम गर्न ठूला सब्सट्रेटहरूमा SiC epitaxy विकास गरिरहेका छन्, जबकि अरूले दोषहरूको घनत्व कम गर्न नयाँ प्रविधिहरू खोजिरहेका छन्।

SiC epitaxy ग्यास सेन्सिङ, तापमान सेन्सिङ, र दबाब सेन्सिङ सहित अनुप्रयोगहरूको दायराका लागि उन्नत सेन्सरहरूको विकासमा पनि प्रयोग भइरहेको छ। SiC सँग अद्वितीय गुणहरू छन् जसले यसलाई यी अनुप्रयोगहरूको लागि आदर्श बनाउँदछ, जस्तै उच्च-तापमान स्थिरता र कठोर वातावरणको प्रतिरोध।