SiC सब्सट्रेटहरू तयार गर्न कठिनाई

तापक्रम क्षेत्र नियन्त्रणमा कठिनाइ:सी क्रिस्टल रड वृद्धि मात्र 1500 ℃ आवश्यक छ, जबकिSiC क्रिस्टल रड2000 ℃ को उच्च तापमान मा बढ्न आवश्यक छ, र त्यहाँ 250 भन्दा बढी SiC isomers छन्, तर मुख्य 4H-SiC एकल क्रिस्टल संरचना पावर उपकरणहरू बनाउन प्रयोग गरिन्छ। यदि यसलाई ठीकसँग नियन्त्रण गरिएको छैन भने, अन्य क्रिस्टल संरचनाहरू प्राप्त हुनेछन्। थप रूपमा, क्रूसिबलमा तापमान ढाँचाले SiC सबलिमेशन प्रसारणको दर र क्रिस्टल इन्टरफेसमा ग्यासीय परमाणुहरूको व्यवस्था र वृद्धि मोड निर्धारण गर्दछ, जसले क्रिस्टलको वृद्धि दर र क्रिस्टल गुणस्तरलाई असर गर्छ। तसर्थ, एक व्यवस्थित तापमान क्षेत्र नियन्त्रण प्रविधि गठन गर्न आवश्यक छ।

ढिलो क्रिस्टल वृद्धि:Si क्रिस्टल रडको वृद्धि दर 30-150mm/h सम्म पुग्न सक्छ, र 1-3m सिलिकन क्रिस्टल रडहरू उत्पादन गर्न लगभग 1 दिन मात्र लाग्छ; जबकि SiC क्रिस्टल रडहरूको वृद्धि दर, उदाहरणको रूपमा PVT विधि लिने, लगभग 0.2-0.4mm/h छ, र 3-6cm भन्दा कम बढ्न 7 दिन लाग्छ। क्रिस्टल वृद्धि दर सिलिकन सामग्री को एक प्रतिशत भन्दा कम छ, र उत्पादन क्षमता अत्यन्त सीमित छ।

राम्रो उत्पादन प्यारामिटर र कम उपज को लागी उच्च आवश्यकताहरु:को मूल मापदण्डहरूSiC सब्सट्रेटहरूमाइक्रोट्यूब घनत्व, विस्थापन घनत्व, प्रतिरोधात्मकता, वारपेज, सतह खुरदरा, आदि समावेश गर्नुहोस्। यो एक जटिल प्रणाली इन्जिनियरिङ् हो कि परमाणुहरूलाई व्यवस्थित रूपमा व्यवस्थित गर्न र प्यारामिटर सूचकहरू नियन्त्रण गर्दा बन्द उच्च-तापमान कक्षमा क्रिस्टल वृद्धि पूरा गर्नुहोस्।

सामग्री कडा र भंगुर छ, र काट्न लामो समय लाग्छ र उच्च पहिरन छ:SiC को Mohs कठोरता हीरा पछि दोस्रो हो, जसले यसको काट्ने, पीस्ने र पालिस गर्ने कठिनाईलाई उल्लेखनीय रूपमा बढाउँछ। ३ सेन्टीमिटर बाक्लो इन्गटलाई ३५-४० टुक्रामा काट्न करिब १२० घण्टा लाग्छ। थप रूपमा, SiC को उच्च भंगुरताको कारणले गर्दा, चिप प्रशोधनले पनि थप लगाउनेछ, र आउटपुट अनुपात लगभग 60% मात्र छ।

वर्तमानमा, सब्सट्रेट विकासको सबैभन्दा महत्त्वपूर्ण दिशा प्रवृत्ति व्यास विस्तार गर्न हो। विश्वव्यापी SiC बजारमा 6 इन्चको ठूलो उत्पादन लाइन परिपक्व हुँदैछ, र प्रमुख कम्पनीहरूले 8 इन्चको बजारमा प्रवेश गरेका छन्।