ग्यालियम नाइट्राइड (GaN) सब्सट्रेट को के आवेदन?

ग्यालियम नाइट्राइड (GaN)अर्धचालक टेक्नोलोजीमा एक महत्त्वपूर्ण सामग्री हो, यसको असाधारण इलेक्ट्रोनिक र अप्टिकल गुणहरूको लागि परिचित छ। GaN, एक वाइड-ब्यान्डग्याप सेमीकन्डक्टरको रूपमा, लगभग 3.4 eV को ब्यान्डग्याप ऊर्जा छ, जसले यसलाई उच्च-शक्ति र उच्च-फ्रिक्वेन्सी अनुप्रयोगहरूको लागि आदर्श बनाउँछ। उच्च इलेक्ट्रोन गतिशीलता र GaN को बलियो अप्टिकल विशेषताहरूले पावर इलेक्ट्रोनिक्स र अप्टोइलेक्ट्रोनिक उपकरणहरूमा महत्त्वपूर्ण प्रगतिको नेतृत्व गरेको छ।

GaNयसको उच्च इलेक्ट्रोन गतिशीलता द्वारा विशेषता हो, जुन अर्धचालक यन्त्रहरूको दक्षताको लागि महत्त्वपूर्ण छ। यो उच्च इलेक्ट्रोन गतिशीलता GaN को बलियो क्रिस्टल संरचना र इलेक्ट्रोनहरूको कम स्क्याटरिङको परिणाम हो, छिटो स्विचिंग गति र इलेक्ट्रोनिक उपकरणहरूमा कम पावर हानि सक्षम पार्दै। परम्परागत सिलिकन (Si) अर्धचालकहरूको तुलनामा,GaN उपकरणहरूउच्च दक्षता कायम गर्दै उच्च भोल्टेज र तापमान मा काम गर्न सक्नुहुन्छ। GaN को उच्च इलेक्ट्रोन गतिशीलताले यसको कम अन-प्रतिरोधमा पनि योगदान पुर्‍याउँछ, जसको परिणामस्वरुप संवाहक हानि कम हुन्छ र GaN-आधारित पावर उपकरणहरूलाई बढी दक्षता र कम ताप उत्पादनका साथ सञ्चालन गर्न सक्षम बनाउँछ।

GaN को अप्टिकल गुण

यसको इलेक्ट्रोनिक गुणहरूको अतिरिक्त,GaNयसको बलियो अप्टिकल विशेषताहरूको लागि परिचित छ।GaNपराबैंगनी (UV) देखि देखिने प्रकाशमा फराकिलो स्पेक्ट्रममा प्रकाश उत्सर्जन गर्ने अद्वितीय क्षमता छ, यसले प्रकाश-उत्सर्जक डायोडहरू (LEDs) र लेजर डायोडहरू जस्ता ओप्टोइलेक्ट्रोनिक उपकरणहरूको विकासमा मुख्य सामग्री बनाउँछ। GaN-आधारित LEDs अत्यधिक कुशल, दीर्घकालीन, र ऊर्जा-बचत छन्, जबकि GaN-आधारित लेजर डायोडहरू उच्च-घनत्व अप्टिकल भण्डारण उपकरणहरूको लागि आवश्यक छन् र औद्योगिक र चिकित्सा क्षेत्रहरूमा अनुप्रयोगहरू फेला पार्छन्।

पावर र अप्टोइलेक्ट्रोनिक उपकरणहरूमा GaN

GaNको उच्च इलेक्ट्रोन गतिशीलता र बलियो अप्टिकल गुणहरूले यसलाई अनुप्रयोगहरूको विस्तृत दायराको लागि उपयुक्त बनाउँदछ। पावर इलेक्ट्रोनिक्समा, GaN यन्त्रहरूले उच्च भोल्टेजहरू नछोडिकन र तिनीहरूको कम प्रतिरोधी क्षमताको कारण उत्कृष्ट बनाउँछन्, जसले तिनीहरूलाई पावर कन्भर्टरहरू, इन्भर्टरहरू र RF एम्पलीफायरहरूको लागि आदर्श बनाउँछ। Optoelectronics मा, GaN ले LED र लेजर टेक्नोलोजीहरूमा प्रगति गर्न जारी राख्छ, ऊर्जा-कुशल प्रकाश समाधान र उच्च प्रदर्शन प्रदर्शन प्रविधिहरूको विकासमा योगदान पुर्‍याउँछ।

उदीयमान सेमीकन्डक्टर सामग्रीको सम्भावना

टेक्नोलोजी अगाडि बढ्दै जाँदा, नयाँ सेमीकन्डक्टर सामग्रीहरू उद्योगमा क्रान्ति ल्याउने सम्भावनाको साथ उभरिरहेका छन्। यी सामग्रीहरू मध्ये,ग्यालियम अक्साइड (Ga₂O₃)र डायमण्ड असाधारण रूपमा आशाजनक रूपमा खडा हुन्छ।

ग्यालियम अक्साइड, यसको 4.9 eV को अल्ट्रा-वाइड ब्यान्डग्यापको साथ, अर्को पुस्ताको उच्च-शक्ति इलेक्ट्रोनिक उपकरणहरूको लागि सामग्रीको रूपमा ध्यान आकर्षित गरिरहेको छ।गा₂O₃अत्यधिक उच्च भोल्टेजहरू सामना गर्ने क्षमताले यसलाई पावर इलेक्ट्रोनिक्समा अनुप्रयोगहरूको लागि उत्कृष्ट उम्मेद्वार बनाउँछ, जहाँ दक्षता र थर्मल व्यवस्थापन महत्त्वपूर्ण छ।

अर्कोतर्फ, डायमण्ड यसको असाधारण थर्मल चालकता र अत्यधिक उच्च क्यारियर गतिशीलताको लागि प्रख्यात छ, यसले उच्च-शक्ति र उच्च-फ्रिक्वेन्सी अनुप्रयोगहरूको लागि असाधारण आकर्षक सामग्री बनाउँछ। सेमीकन्डक्टर उपकरणहरूमा हीराको एकीकरणले प्रदर्शन र विश्वसनीयतामा महत्त्वपूर्ण सुधारहरू निम्त्याउन सक्छ, विशेष गरी वातावरणमा जहाँ गर्मी अपव्यय महत्त्वपूर्ण छ।

ग्यालियम नाइट्राइडउच्च इलेक्ट्रोन गतिशीलता र बलियो अप्टिकल गुणहरूको कारणले सेमिकन्डक्टर उद्योगमा दृढतापूर्वक आफूलाई आधारशिला सामग्रीको रूपमा स्थापित गरेको छ। पावर इलेक्ट्रोनिक्स र अप्टोइलेक्ट्रोनिक उपकरणहरूमा यसको अनुप्रयोगहरूले अधिक कुशल र कम्प्याक्ट समाधानहरू सक्षम पार्दै, टेक्नोलोजीमा पर्याप्त प्रगति गरेको छ। उद्योगले ग्यालियम अक्साइड र डायमण्ड जस्ता नयाँ सामग्रीहरू अन्वेषण गर्न जारी राख्दा, सेमीकन्डक्टर टेक्नोलोजीमा थप नवीनताको सम्भावना अपार छ। यी उदीयमान सामग्रीहरू, GaN को प्रमाणित क्षमताहरूसँग मिलेर, आगामी वर्षहरूको लागि इलेक्ट्रोनिक्स र अप्टोइलेक्ट्रोनिक्सको भविष्यलाई आकार दिन तयार छन्।

---

Semicorex उच्च गुणस्तर प्रदान गर्दछअर्धचालक वेफर्सअर्धचालक उद्योगका लागि यदि तपाइँसँग कुनै सोधपुछ छ वा थप विवरणहरू चाहिन्छ भने, कृपया हामीलाई सम्पर्क गर्न नहिचकिचाउनुहोस्।

सम्पर्क फोन # +86-13567891907

इमेल: sales@semicorex.com