Infineon ले संसारको पहिलो 300mm पावर GaN Wafer अनावरण गर्‍यो

हालै, Infineon Technologies ले विश्वको पहिलो 300mm पावर Gallium Nitride (GaN) वेफर प्रविधिको सफल विकासको घोषणा गरेको छ। यसले तिनीहरूलाई यस ग्राउन्डब्रेकिंग टेक्नोलोजीमा महारत हासिल गर्ने र अवस्थित ठूला, उच्च-क्षमता निर्माण वातावरणहरूमा ठूलो उत्पादन हासिल गर्ने पहिलो कम्पनी बनाउँछ। यस नवाचारले GaN-आधारित पावर सेमीकन्डक्टर बजारमा महत्त्वपूर्ण प्रगतिलाई चिन्ह लगाउँछ।

कसरी 300mm प्रविधिले 200mm प्रविधिसँग तुलना गर्छ?

200mm प्रविधिको तुलनामा, 300mm वेफरहरू प्रयोग गर्दा प्रति वेफर 2.3 गुणा बढी GaN चिपहरू उत्पादन गर्न अनुमति दिन्छ, जसले उत्पादन क्षमता र आउटपुटमा उल्लेखनीय वृद्धि गर्दछ। यो सफलताले पावर सिस्टम फिल्डमा Infineon को नेतृत्वलाई मात्र सुदृढ बनाउँदैन तर GaN प्रविधिको द्रुत विकासलाई पनि गति दिन्छ।

Infineon को CEO ले यो उपलब्धि बारे के भन्नुभयो?

Infineon Technologies का CEO जोचेन हानेबेकले भने, “यो उल्लेखनीय उपलब्धिले हाम्रो नवप्रवर्तनमा बलियो शक्ति देखाउँछ र हाम्रो विश्वव्यापी टोलीको अथक प्रयासको प्रमाण हो। हामी दृढ विश्वास गर्छौं कि यस प्राविधिक सफलताले उद्योगको मापदण्डलाई नयाँ आकार दिनेछ र GaN प्रविधिको पूर्ण सम्भावनालाई अनलक गर्नेछ। GaN Systems को हाम्रो अधिग्रहणको लगभग एक वर्ष पछि, हामी फेरि एक पटक द्रुत रूपमा बढ्दै गइरहेको GaN बजारमा नेतृत्व गर्ने हाम्रो दृढ संकल्प प्रदर्शन गर्दैछौं। पावर प्रणालीहरूमा एक नेताको रूपमा, Infineon ले तीन मुख्य सामग्रीहरूमा प्रतिस्पर्धात्मक किनारा हासिल गरेको छ: सिलिकन, सिलिकन कार्बाइड, र GaN।

Infineon CEO Jochen Hanebeck सँग अवस्थित र स्केलेबल उच्च-भोल्युम उत्पादन वातावरणमा उत्पादन गरिएको विश्वको पहिलो 300mm GaN पावर वेफरहरू मध्ये एक हो।

300mm GaN प्रविधि किन लाभदायक छ?

300mm GaN टेक्नोलोजीको एउटा महत्त्वपूर्ण फाइदा यो हो कि यो अवस्थित 300mm सिलिकन निर्माण उपकरण प्रयोग गरेर उत्पादन गर्न सकिन्छ, किनकि GaN र सिलिकनले निर्माण प्रक्रियाहरूमा समानताहरू साझा गर्छन्। यो सुविधाले Infineon लाई यसको हालको उत्पादन प्रणालीहरूमा GaN प्रविधिलाई सहज रूपमा एकीकृत गर्न अनुमति दिन्छ, जसले गर्दा प्रविधिको ग्रहण र अनुप्रयोगलाई गति दिन्छ।

Infineon ले 300mm GaN Wafers को सफलतापूर्वक उत्पादन गरेको छ?

हाल, Infineon ले अस्ट्रियाको भिल्लाचमा रहेको आफ्नो पावर प्लान्टमा अवस्थित 300mm सिलिकन उत्पादन लाइनहरूमा 300mm GaN wafers सफलतापूर्वक उत्पादन गरेको छ। २०० एमएम गान प्रविधि र ३०० एमएम सिलिकन उत्पादनको स्थापित आधारमा निर्माण गर्दै कम्पनीले आफ्नो प्राविधिक तथा उत्पादन क्षमतालाई थप विस्तार गरेको छ ।

यो सफलताले भविष्यको लागि के अर्थ राख्छ?

यो सफलताले Infineon को नवाचार र ठूलो मात्राको उत्पादन क्षमताहरूमा मात्र प्रकाश पार्दैन तर पावर सेमीकन्डक्टर उद्योगको भविष्यको विकासको लागि ठोस आधार पनि राख्छ। GaN टेक्नोलोजी विकसित हुँदै जाँदा, Infineon ले बजारको वृद्धिलाई निरन्तरता दिनेछ, विश्वव्यापी अर्धचालक उद्योगमा आफ्नो नेतृत्वको स्थितिलाई अझ बढाएर।**