उद्योग समाचार

किन SiC-लेपित ग्रेफाइट ससेप्टरहरू छनौट गर्ने?

ग्रेफाइट ससेप्टर MOCVD उपकरणमा आवश्यक भागहरू मध्ये एक हो, वेफर सब्सट्रेटको क्यारियर र हीटर हो। यसको थर्मल स्थिरता र थर्मल एकरूपताका गुणहरूले वेफर एपिटेक्सियल वृद्धिको गुणस्तरमा निर्णायक भूमिका खेल्छ, जसले लेयर सामग्रीको एकरूपता र शुद्धतालाई प्रत्यक्ष रूपमा निर्धारण गर्दछ, फलस्वरूप यसको गुणस्तरले एपि......

SiC epitaxial को प्रक्रिया के हो?

उच्च भोल्टेज क्षेत्रमा, विशेष गरी 20,000V माथि उच्च-भोल्टेज यन्त्रहरूको लागि, SiC epitaxial प्रविधि अझै पनि धेरै चुनौतीहरूको सामना गर्दछ। मुख्य कठिनाइहरू मध्ये एक उच्च एकरूपता, मोटाई, र epitaxial तह मा डोपिङ एकाग्रता हासिल छ। यस्तो उच्च भोल्टेज उपकरणहरूको निर्माणको लागि, उत्कृष्ट एकरूपता र एकाग्रताक......

SiC लेपित ग्रेफाइट ससेप्टर बजारको पर्याप्त वृद्धि

MOCVD प्रमुख उपकरण हो

अर्धचालक परियोजनाहरूमा कोष

प्रत्येक देश चिप्सको महत्त्व बारे सचेत छ र अब अर्को चिप अभाव समस्या रोक्नको लागि आफ्नै चिप उत्पादन आपूर्ति श्रृंखला इकोसिस्टमको निर्माणलाई गति दिइरहेको छ। तर नेक्स्ट-जेन चिप डिजाइनर बिनाको उन्नत फाउन्ड्रीहरू चिप्स बिनाको फ्याबजस्तै हुनेछन्।

TSMC: अर्को वर्ष 2nm प्रक्रिया जोखिम परीक्षण उत्पादन

आफ्नो भर्खरै जारी गरिएको वार्षिक प्रतिवेदनमा, TSMC अध्यक्ष देइन लिउ र सीईओ चिह-जिया वेईले 2nm प्रक्रियासँग सम्बन्धित प्रगति प्रकट गरे।