> समाचार > उद्योग समाचार

उद्योग समाचार

एनिलिङ

आयन इम्प्लान्टेशन पछि एनिलिङ सेमीकन्डक्टर उपकरण निर्माणमा एक प्रमुख चरण हो, जसले उपकरणको प्रदर्शन र विश्वसनीयतालाई असर गर्छ।

थप पढ्नुहोस्

PVT विधि द्वारा AlN क्रिस्टल वृद्धि

ग्यालियम नाइट्राइड (GaN), सिलिकन कार्बाइड (SiC), र एल्युमिनियम नाइट्राइड (AlN) सहित चौडा ब्यान्डग्याप अर्धचालक सामग्रीको तेस्रो पुस्ताले उत्कृष्ट विद्युतीय, थर्मल, र ध्वनि-अप्टिकल गुणहरू प्रदर्शन गर्दछ। यी सामग्रीहरूले अर्धचालक सामग्रीको पहिलो र दोस्रो पुस्ताको सीमितताहरूलाई सम्बोधन गर्दछ, महत्त्वपू......

थप पढ्नुहोस्

SiGe र Si चयनात्मक नक्काशी प्रविधि

n-प्रकार GAAFETs को निर्माण मा एक महत्वपूर्ण कदम SiGe को उच्च-चयनात्मक नक्कल समावेश छ: Si स्ट्याक भित्री स्पेसर को निक्षेप को अघि, सिलिकन न्यानोसिटहरू उत्पन्न गर्ने र च्यानलहरू जारी गर्ने।

थप पढ्नुहोस्

चिप निर्माणमा SiGe: एक व्यावसायिक समाचार रिपोर्ट

आधुनिक सेमीकन्डक्टर टेक्नोलोजीको दायरामा उच्च प्रदर्शन र कम पावर खपतको मागहरू पूरा गर्न, SiGe (सिलिकन जर्मेनियम) यसको अद्वितीय भौतिक र विद्युतीय गुणहरूको कारण अर्धचालक चिप निर्माणमा छनौटको समग्र सामग्रीको रूपमा उभिएको छ।

थप पढ्नुहोस्

अर्धचालक मा एकाइ: Angstrom

लम्बाइको एकाइको रूपमा, Angstrom (Å) एकीकृत सर्किट निर्माणमा सर्वव्यापी छ। सामाग्री मोटाई को सटीक नियन्त्रण देखि यन्त्र आकार को miniaturization र अनुकूलन को लागी, Angstrom स्केल को समझ र आवेदन अर्धचालक प्रविधि को निरन्तर विकास सुनिश्चित गर्न को लागी कोर हो।

थप पढ्नुहोस्

लगभग $840 मिलियन: Onsemi एक SiC कम्पनी प्राप्त गर्दछ

आज, Onsemi ले आफ्नो आधिकारिक वेबसाइटमा घोषणा गर्‍यो कि यो Qorvo सँग SiC JFET प्रविधि व्यवसाय र Qorvo को सहायक कम्पनी प्राप्त गर्न सम्झौतामा पुगेको छ।

थप पढ्नुहोस्

<...3 4 5 6 7...29 >