एकल क्रिस्टल SiC वृद्धि अनुप्रयोगहरूको लागि छिद्रपूर्ण ग्रेफाइट सामग्री

सेमिकोरेक्स पोरस ग्रेफाइट सामग्रीहरू SiC क्रिस्टल वृद्धि अनुप्रयोगहरूको सटीक मागहरू पूरा गर्न डिजाइन गरिएको हो। परिशुद्धता संग ईन्जिनियर गरिएको र प्रदर्शन को लागी बनाईएको, यी सामाग्री बेजोड गुणस्तर र शुद्धता संग उच्च SiC क्रिस्टल प्राप्त गर्न को लागी तपाइँको कुञ्जी हो।

विशेषताहरु:

अप्टिमाइज्ड पोरोसिटी: हाम्रो पोरस ग्रेफाइट सामग्रीले एकल क्रिस्टल SiC को बृद्धिलाई सहज बनाउन सटीक रूपमा नियन्त्रित पोरोसिटी स्तरहरू घमण्ड गर्दछ। छिद्रहरूको समान वितरणले निरन्तर र भरपर्दो परिणामहरू सुनिश्चित गर्दछ।

उच्च थर्मल चालकता: SiC बृद्धि प्रक्रियाको क्रममा कुशल गर्मी स्थानान्तरण सुनिश्चित गर्न, हाम्रा सामग्रीहरू उच्च थर्मल चालकताको साथ इन्जिनियर गरिएको छ, तापक्रम ढाँचा घटाउने र क्रिस्टल दोषहरू कम गर्दै।

रासायनिक जडता: कठोर रासायनिक वातावरणको प्रतिरोध क्रिस्टल विकास अनुप्रयोगहरूमा सर्वोपरि छ। हाम्रा सामग्रीहरू असाधारण रूपमा रासायनिक रूपमा निष्क्रिय छन्, तिनीहरू स्थिर र SiC वृद्धि प्रक्रियाहरूको संक्षारक प्रकृतिबाट अप्रभावित रहने सुनिश्चित गर्दै।

मेकानिकल स्थिरता: दीर्घायुको लागि डिजाइन गरिएको, यी सामग्रीहरूले असाधारण मेकानिकल स्थिरता प्रदर्शन गर्दछ, विस्तारित प्रयोगको क्रममा विरूपण वा क्षतिको जोखिम कम गर्दै।

अनुकूलन योग्यता: हामी बुझ्छौं कि विभिन्न क्रिस्टल विकास प्रक्रियाहरूमा अद्वितीय आवश्यकताहरू छन्। यसैले हामी हाम्रा सामग्रीहरूलाई तपाईंको विशेष आवश्यकताहरू अनुरूप बनाउन विभिन्न पोरोसिटी स्तरहरू, आकारहरू र आकारहरू सहित अनुकूलन विकल्पहरूको दायरा प्रस्ताव गर्दछौं।