छिद्रपूर्ण ट्यान्टालम कार्बाइड सिरेमिक

सेमिकोरेक्स पोरस ट्यान्टलम कार्बाइड सिरेमिक एक अल्ट्रा-उच्च-तापमान सिरेमिक सामग्री हो जसको 3880 ℃ वरिपरि पग्लने बिन्दु हुन्छ, जसले निम्न उत्कृष्ट प्रदर्शन विशेषताहरूको लागि चुनौतीपूर्ण उच्च-तापमान र उच्च-जंग सञ्चालन वातावरणमा स्थिर प्रदर्शन कायम राख्न सक्छ।

1. उत्कृष्ट थर्मल सम्पत्ति

Semicorex झरझरा को अधिकतम कार्य तापमानट्यान्टलम कार्बाइड सिरेमिक3200 ℃ सम्म हुन सक्छ, र यसले उच्च-तापमान सिलिकन कार्बाइड क्रिस्टल वृद्धि अवस्थाहरूमा लामो समयसम्म कुनै विकृति वा नरम बिना स्थिर रूपमा सञ्चालन गर्न सक्छ।

2. असाधारण रासायनिक स्थिरता

सेमिकोरेक्स पोरस ट्यान्टलम कार्बाइड सिरेमिकले परम्परागत सिरेमिकहरू भन्दा राम्रो जंग प्रतिरोध र अक्सीकरण प्रतिरोध प्रदर्शन गर्दछ। यसले क्रिस्टल वृद्धि प्रक्रियामा उच्च-तापमान अक्सिजन र सी वाष्पको जंगलाई प्रभावकारी रूपमा सामना गर्न सक्छ।

3. विशेष छिद्रपूर्ण संरचना

सेमिकोरेक्स पोरस ट्यान्टलम कार्बाइड सिरेमिक विशेषताहरूले समान रूपमा आन्तरिक छिद्रहरू वितरण गर्दछ, 10-60% (अनुकूलन योग्य) र 98% भन्दा बढीको थ्रु-पोर दरको बीचमा पोरोसिटी। यो विशेष संरचनाले Si र C जस्ता वाष्प-चरण तत्वहरूलाई क्रिस्टल वृद्धि भट्टी भित्र सजिलैसँग प्रवाह गर्न र फैलाउन सक्षम बनाउँछ, उच्च गुणस्तरको क्रिस्टलहरूको वृद्धिलाई धेरै सहज बनाउँछ।

सिलिकन कार्बाइड क्रिस्टल वृद्धि मा आवेदन

PVT प्रक्रिया मार्फत सिलिकन कार्बाइड क्रिस्टल बृद्धिको क्रममा, सेमिकोरेक्स पोरस ट्यान्टलम कार्बाइड सिरेमिकले मुख्य रूपमा वाष्प-चरण तत्व फिल्टरेशन, फर्नेस तापमान ग्रेडियन्ट नियमन र ग्यास सामग्री प्रवाह मार्गदर्शनमा कार्य गर्दछ। परम्परागत छिद्रपूर्ण TaC-लेपित ग्रेफाइट सामग्रीहरू भन्दा फरक, Semicorex झरझरा ट्यान्टलम कार्बाइड सिरेमिकले फरक फाइदाहरू देखाउँदछ: यसले छिद्रपूर्ण हटाउँछ।TaC लेपित ग्रेफाइटकोटिंग उपचारको कारणले कम थ्रु-पोर दरको सामग्रीको कमजोरी, सेवामा सामना गरिएको कोटिंग पिलिङको छिद्रपूर्ण TaC-कोटेड ग्रेफाइट सामग्रीको दुखाइ बिन्दुलाई बेवास्ता गर्दै। Semicorex झरझरा ट्यान्टलम कार्बाइड सिरेमिक प्रयोग गरेर, तपाईले प्रभावकारी रूपमा सिलिकन कार्बाइड क्रिस्टल वृद्धिमा कार्बन समावेशी दोषहरू रोक्न सक्नुहुन्छ, जसले गर्दा क्रिस्टल वृद्धि गुणस्तर र उत्पादनको उपजमा धेरै सुधार हुन्छ।