SiC लेपित ग्रेफाइट क्रूसिबल

उच्च तापमान क्रिस्टल वृद्धि भट्टी को केन्द्र मा स्थापित,SiC लेपितग्रेफाइट क्रुसिबलहरू हीटरहरू, थर्मल इन्सुलेशन आस्तीनहरू, प्रवाह गाइड ट्यूबहरू, र क्रुसिबल शाफ्टहरूसँग पूर्ण थर्मल फिल्ड प्रणाली बनाउनको लागि संयोजनमा काम गर्छन्। यो थर्मल क्षेत्र प्रणाली क्रिस्टल वृद्धि को लागी आवश्यक एक स्थिर उच्च-तापमान वातावरण कायम राख्न सक्छ।

SiC लेपित को उत्पादनग्रेफाइट cruciblesसामान्यतया उन्नत रासायनिक वाष्प निक्षेप प्रविधिको प्रयोगबाट एक समान रूपमा घना जम्मा गर्न सुरु हुन्छ।सिलिकन कार्बाइडबनाइएको ग्रेफाइट सब्सट्रेटको सतहमा कोटिंग। उच्च-शुद्धताबाट बनेकोग्रेफाइटसब्सट्रेट र बाक्लो सिलिकन कार्बाइड कोटिंग, SiC-लेपित ग्रेफाइट क्रुसिबलले सिलिकन कार्बाइडको क्षरण प्रतिरोधसँग ग्रेफाइटको थर्मल चालकता संयोजन गर्ने सिनेर्जिस्टिक संरचना बनाउँछ।

Czochralski विधि क्रिस्टल वृद्धिको लागि विश्वव्यापी औद्योगिक प्रविधि हो। यो प्रविधिले क्रिस्टल उत्पादनको क्रममा क्रुसिबलमा केन्द्रापसारक बल प्रयोग गर्नेछ। SiC-लेपित ग्रेफाइट क्रुसिबलको उच्च लचिलो बल र कठोरताले उच्च-गति रोटेशनको समयमा ब्रेकेज वा क्र्याकिंग रोक्न सक्छ, प्रभावकारी रूपमा क्रूसिबल क्षतिको कारण उत्पादन अवरोधहरू कम गर्दछ। थप रूपमा, क्रुसिबलहरूले यस प्रक्रियाको अवधिमा छोटो अवधि भित्र कठोर तापमान उतार-चढ़ावहरू गुजर्नु पर्छ। तिनीहरूको उल्लेखनीय थर्मल झटका प्रतिरोधको लागि धन्यवाद, SiC-लेपित ग्रेफाइट क्रुसिबलहरूले थर्मल तनावसँग सम्बन्धित संरचनात्मक क्षतिलाई कम गर्न सक्छ, तिनीहरूको आकारको स्थिरता सुनिश्चित गर्न सक्छ, जसले गर्दा क्रुसिबल विकृतिको कारणले हुने क्रिस्टल वृद्धि दोषहरू कम गर्दछ।

उच्च तापक्रम अन्तर्गत, SiC-लेपित ग्रेफाइट क्रुसिबलले सिलिकन कार्बाइडको बाक्लो सुरक्षात्मक तह बनाउँछ। यो सुरक्षात्मक तहले ग्रेफाइट सब्सट्रेटलाई सिलिकन वाष्प र पग्लिएको सिलिकनबाट अलग गर्न सक्छ, जसले गर्दा ग्रेफाइट सब्सट्रेट जंग र कोटिंग पिलिङसँग सम्बन्धित क्रिस्टल प्रदूषण जोखिमहरू कम गर्न सकिन्छ। त्यसकारण, सेमिकोरेक्सको SiC-लेपित ग्रेफाइट क्रुसिबलहरूले वास्तविक सञ्चालनमा विस्तारित अवधिको लागि विभिन्न जटिल उच्च-तापमान जंग वातावरणहरू सामना गर्न सक्छ। यसले स्थिर क्रिस्टल संरचना सुनिश्चित गर्दछ र दोष दरहरू कम गर्दछ, जुन दुबै उच्च गुणस्तरको अर्धचालक क्रिस्टलको उत्पादनको लागि आवश्यक छ।