सिलिकन कार्बाइड ग्रेफाइट सब्सट्रेट MOCVD ससेप्टर

सेमिकोरेक्स सिलिकन कार्बाइड ग्रेफाइट सब्सट्रेट MOCVD ससेप्टर उच्च-गुणस्तरको क्यारियर खोज्ने सेमीकन्डक्टर निर्माताहरूका लागि उत्कृष्ट प्रदर्शन र स्थायित्व प्रदान गर्न सक्ने अन्तिम विकल्प हो। यसको उन्नत सामग्रीले थर्मल प्रोफाइल र लामिनार ग्यास प्रवाह ढाँचा पनि सुनिश्चित गर्दछ, उच्च गुणस्तरको वेफरहरू प्रदान गर्दछ।

सोधपुछ पठाउनुहोस्

उत्पादन विवरण

हाम्रो सिलिकन कार्बाइड ग्रेफाइट सब्सट्रेट MOCVD ससेप्टर अत्यधिक शुद्ध छ, उच्च-तापमान क्लोरिनेशन अवस्थाहरूमा CVD रासायनिक वाष्प निक्षेप द्वारा बनाईएको हो, उत्पादनको एकरूपता र स्थिरता सुनिश्चित गर्दै। यो अत्यधिक जंग-प्रतिरोधी पनि छ, बाक्लो सतह र सूक्ष्म कणहरूको साथ, यसले एसिड, क्षार, नुन, र जैविक अभिकर्मकहरूलाई प्रतिरोधी बनाउँछ। यसको उच्च-तापमान ओक्सीकरण प्रतिरोधले 1600 डिग्री सेल्सियस सम्म उच्च तापमानमा स्थिरता सुनिश्चित गर्दछ।
हाम्रो सिलिकन कार्बाइड ग्रेफाइट सब्सट्रेट MOCVD ससेप्टर बारे थप जान्नको लागि आज हामीलाई सम्पर्क गर्नुहोस्।

सिलिकन कार्बाइड ग्रेफाइट सब्सट्रेट MOCVD ससेप्टरको प्यारामिटरहरू

CVD-SIC कोटिंग को मुख्य निर्दिष्टीकरण
SiC-CVD गुणहरू
क्रिस्टल संरचना	FCC β चरण
घनत्व	g/cm ³	3.21
कठोरता	Vickers कठोरता	2500
अनाज आकार	μm	२~१०
रासायनिक शुद्धता	%	99.99995
गर्मी क्षमता	J kg-1 K-1	640
उदात्तीकरण तापमान	℃	2700
फेलेक्सरल शक्ति	MPa (RT 4-बिन्दु)	415
युवाको मोडुलस	Gpa (4pt बेन्ड, 1300℃)	430
थर्मल विस्तार (C.T.E)	10-6K-1	4.5
थर्मल चालकता	(W/mK)	300

MOCVD का लागि SiC लेपित ग्रेफाइट ससेप्टरका सुविधाहरू

- छिलकाबाट बच्नुहोस् र सबै सतहमा कोटिंग सुनिश्चित गर्नुहोस्
उच्च तापमान ओक्सीकरण प्रतिरोध: 1600 डिग्री सेल्सियस सम्म उच्च तापमानमा स्थिर
उच्च शुद्धता: उच्च तापमान क्लोरिनेशन अवस्था अन्तर्गत CVD रासायनिक वाष्प निक्षेप द्वारा बनाईएको।
जंग प्रतिरोध: उच्च कठोरता, बाक्लो सतह र ठीक कणहरू।
जंग प्रतिरोध: एसिड, क्षार, नुन र जैविक अभिकर्मक।
- उत्तम लामिनार ग्याँस प्रवाह ढाँचा प्राप्त गर्नुहोस्
- थर्मल प्रोफाइल को समानता ग्यारेन्टी
- कुनै पनि प्रदूषण वा अशुद्धता फैलावट रोक्न