TaC लेपित हाफमून

Semicorex TaC-coated Halfmoon ले SiC epitaxy को लागि आवश्यक उच्च तापमान (2200°C सम्म) मा यसको संरचनात्मक अखण्डता र रासायनिक जडता कायम राख्छ। यसले लगातार थर्मल कार्यसम्पादन सुनिश्चित गर्दछ र प्रक्रिया ग्यास वा स्रोत सामग्रीहरूसँग अनावश्यक प्रतिक्रियाहरूलाई रोक्छ। र यसलाई थर्मल चालकता र उत्सर्जनलाई अनुकूलन गर्न इन्जिनियर गर्न सकिन्छ, ससेप्टर सतहमा समान ताप वितरणलाई बढावा दिन। यसले थप एकसमान वेफर तापमान प्रोफाइलहरू र एपिटेक्सियल तह मोटाई र डोपिङ एकाग्रतामा सुधारिएको एकरूपतातर्फ डोर्‍याउँछ। यसबाहेक, TaC-लेपित हाफमुनको थर्मल विस्तार गुणांकलाई SiC सँग मिल्दोजुल्दो बनाउन सकिन्छ, तापक्रम र शीतलन चक्रहरूमा थर्मल तनाव कम गर्दै। यसले वेफर झुकाउने र दोष निर्माणको जोखिम कम गर्छ, उच्च यन्त्र उत्पादनमा योगदान पुर्‍याउँछ।

TaC-लेपित हाफमुनले अनकोटेड/SiC-लेपित विकल्पहरूको तुलनामा ग्रेफाइट ससेप्टरहरूको सेवा जीवनलाई उल्लेखनीय रूपमा विस्तार गर्दछ। SiC डिपोजिसन र थर्मल डिग्रेडेसनको बढ्दो प्रतिरोधले सफाई चक्र र प्रतिस्थापनको फ्रिक्वेन्सी कम गर्दछ, समग्र निर्माण लागत कम गर्दछ।

SiC यन्त्र प्रदर्शनका लागि फाइदाहरू:

परिष्कृत उपकरण विश्वसनीयता र प्रदर्शन:TaC-कोटेड हाफमुनमा बढेको एपिटेक्सियल तहहरूमा सुधारिएको एकरूपता र कम दोष घनत्वले उच्च यन्त्र उपज र ब्रेकडाउन भोल्टेज, अन-प्रतिरोध, र स्विचिङ गतिको सन्दर्भमा सुधारिएको प्रदर्शनमा अनुवाद गर्दछ।

उच्च-भोल्युम निर्माणको लागि लागत-प्रभावी समाधान:विस्तारित जीवनकाल, कम मर्मत आवश्यकताहरू, र सुधारिएको वेफर गुणस्तरले SiC पावर उपकरणहरूको लागि थप लागत-प्रभावी निर्माण प्रक्रियामा योगदान गर्दछ।

Semicorex TaC-coated Halfmoon ले सामग्री अनुकूलता, थर्मल व्यवस्थापन, र प्रक्रिया प्रदूषण सम्बन्धी प्रमुख चुनौतीहरूलाई सम्बोधन गरेर SiC epitaxy लाई अगाडि बढाउन महत्त्वपूर्ण भूमिका खेल्छ। यसले उच्च-गुणस्तरको SiC वेफर्सको उत्पादनलाई सक्षम बनाउँछ, जसले विद्युतीय सवारी, नवीकरणीय ऊर्जा, र अन्य माग गर्ने उद्योगहरूमा अनुप्रयोगहरूको लागि थप प्रभावकारी र भरपर्दो पावर इलेक्ट्रोनिक उपकरणहरू निम्त्याउँछ।