TAC कोटिंग आधा चन्द्रमा भाग

TAC CERRRACICS सँग 8 88800 डिग्री सेल्सियस सम्म, उच्च कठोरता (m 3400-40000-.0-600 × 10-6k-1) को ठूलो कठोरता छ। तिनीहरू पनि उत्कृष्ट थर्मोकेलिक स्थिरता र उत्कृष्ट भौतिक गुणहरू प्रदर्शन गर्छन्, र ग्राफेटिटी र C / C कम्पोजिटहरूको साथ राम्रो रसायनिक र यांत्रिक अनुकूलता हुन्छ। तसर्थ, ट्याक कोषहरू एयरस्पेस थर्मल संरक्षण, एकल क्रिस्टल बृद्धि, ऊर्जा इलेक्ट्रोनिक्स, र चिकित्सा उपकरणहरू मा प्रयोग गरीन्छ।

TAC-कोटेड ग्राफ्सलाई जन्मेको ग्राफेट्रे वा sic-लेपित ग्राफेटिटी प्रतिरोधको प्रतिरोधमा 2 260000 को उच्च तापक्रममा प्रयोग गर्न सकिन्छ, र धेरै धातु तत्वहरूको साथ प्रतिक्रिया दिन सकिन्छ। यो तेस्रो-पुस्ता अर्ध बोरांडर कार्यसर्फी वाफेड वेफर र विवादक वेफरहरूको तयारी गर्न सक्दछ, र प्रक्रियामा गतिरोधी वेफरहरूको नियन्त्रणमा। यो विशेष गरी mancvd उपकरणको साथ बढ्दो gan वा Aln एकल क्रिस्टलहरूको लागि उपयुक्त छ र PVT उपकरणहरूको साथ SIC एकल क्रिस्टल बढाउँदै। ब्रान्ड एकल क्रिस्टलहरूको गुणस्तर उल्लेखनीय सुधार गरिएको छ।

यो उत्पादन निर्माताहरु लाई प्राथमिकता, दक्षता, र उनीहरूको एपिटक्समा प्रक्रियाहरूमा टिकाउको लागि एक आदर्श समाधान हो। अर्धवान्द्र उद्योगको विकर्ण आवश्यकताहरू पूरा गर्न डिजाइन गरिएको उच्च प्रदर्शन समाधानहरूको लागि ट्रभािकरक्समा विश्वास गर्नुहोस्।