6 इन्च SiC डुङ्गा

Semicorex 6 इन्च SiC बोट एक उन्नत वेफर वाहक हो जुन उच्च-तापमान सेमीकन्डक्टर प्रशोधनको कार्यसम्पादन र दक्षतालाई अनुकूलन गर्न डिजाइन गरिएको हो, विशेष गरी अक्सिडेशन, डिफ्युजन, र अन्य थर्मल प्रक्रियाहरू जस्ता अनुप्रयोगहरूको लागि। उच्च-गुणस्तरको सिलिकन कार्बाइड (SiC) बाट बनेको, यो उत्पादनले महत्वपूर्ण उच्च-तापमान सञ्चालनका क्रममा सेमीकन्डक्टर वेफरहरू समात्ने, उत्कृष्ट थर्मल स्थिरता, उत्कृष्ट जंग प्रतिरोध, र न्यूनतम प्रदूषण जोखिमहरू प्रदान गर्न बलियो समाधान प्रदान गर्दछ।

६ इन्चको SiC डुङ्गा उच्च शुद्धता सिलिकन कार्बाइड (SiC) को प्रयोग गरेर निर्माण गरिएको हो, जुन यसको उत्कृष्ट थर्मल गुण, रासायनिक प्रतिरोध, र कठोर वातावरणमा स्थायित्वका लागि परिचित छ। SiC यसको उच्च पिघलने बिन्दु (लगभग 2,700°C) को कारणले अर्धचालक निर्माणमा व्यापक रूपमा प्रयोग गरिन्छ, यसलाई उच्च-तापमान अनुप्रयोगहरू जस्तै अक्सिडेशन र डिफ्यूजन फर्नेसहरूमा वेफर प्रशोधनका लागि आदर्श बनाउँदछ। डुङ्गाको डिजाइनले उत्कृष्ट संरचनात्मक अखण्डता र समान ताप वितरण सुनिश्चित गर्दछ, जुन अर्धचालक क्रिस्टल वृद्धि, अक्सिडेशन, र अन्य थर्मल उपचारहरूमा लगातार परिणामहरू प्राप्त गर्न महत्त्वपूर्ण छ।

मुख्य सुविधाहरू र लाभहरू

उच्च थर्मल स्थिरता

SiC को असाधारण थर्मल चालकता सुनिश्चित गर्दछ कि 6 इन्च SiC डुङ्गा वार्पिङ वा अपमानजनक बिना चरम तापक्रम सामना गर्न सक्छ। यो गुण विशेष गरी अक्सिडेशन र प्रसार प्रक्रियाहरूमा मूल्यवान छ, जहाँ सटीक तापक्रम नियन्त्रण लगातार वेफर प्रशोधनको लागि आवश्यक छ।

उत्कृष्ट रासायनिक प्रतिरोध

सिलिकन कार्बाइडको रासायनिक क्षरणको अन्तरनिहित प्रतिरोधले डुङ्गालाई वातावरणमा प्रयोगको लागि आदर्श बनाउँछ जहाँ अक्सिजन, नाइट्रोजन वा अन्य प्रतिक्रियाशील तत्वहरू जस्ता आक्रामक ग्यासहरूको जोखिम सामान्य हुन्छ। डुङ्गाले यसको संरचनात्मक अखण्डता र प्रदर्शन उच्च-तापमान, रासायनिक प्रतिक्रियाशील वातावरणमा राख्छ, प्रदूषणको सम्भावना कम गर्दछ।

उच्च-तापमान स्थायित्व

6 इन्च SiC डुङ्गा 1,500 डिग्री सेल्सियस सम्मको तापक्रममा प्रदर्शन गर्न इन्जिनियर गरिएको छ, धेरै उच्च-तापमान अर्धचालक प्रक्रियाहरूको लागि आवश्यकता, अक्सीकरण र प्रसार सहित। यो उच्च-तापमान सहिष्णुताले माग गरिएका अनुप्रयोगहरूमा पनि लामो सेवा जीवन सुनिश्चित गर्दछ।

कम प्रदूषण जोखिम

अर्धचालक प्रशोधन मा एक महत्वपूर्ण कारक वेफर सतह को प्रदूषण को कम गर्नु हो। SiC को कम अशुद्धता स्तर र गैर-प्रतिक्रियाशील प्रकृतिले सुनिश्चित गर्दछ कि 6 इन्च SiC डुङ्गाले सफा र नियन्त्रित वातावरणमा योगदान पुर्‍याउँछ, जसले गर्दा प्रशोधनको क्रममा अनावश्यक प्रदूषणको जोखिम कम हुन्छ।

समान वेफर समर्थन

डुङ्गाको डिजाइनले सुनिश्चित गर्दछ कि वेफरहरू समान रूपमा समर्थित छन्, इष्टतम वेफर पङ्क्तिबद्धता कायम राख्दै र उच्च-तापमान प्रशोधनको क्रममा कुनै पनि ढल्कने वा मिसाइलमेन्टलाई रोक्न। यो समान समर्थन लगातार परिणाम सुनिश्चित गर्न र वेफर दोषहरू रोक्नको लागि आवश्यक छ।

अनुकूलन विकल्प

6 इन्च SiC डुङ्गा विभिन्न वेफर प्रकारका लागि अनुकूल आकार, आकार, र कन्फिगरेसन सहित विशिष्ट ग्राहक आवश्यकताहरू फिट गर्न अनुकूलित गर्न सकिन्छ। चाहे अक्सीकरण, प्रसार, वा अन्य थर्मल प्रक्रियाहरूको लागि प्रयोग गरियो, डुङ्गा ग्राहकको विशेष प्रक्रिया प्रवाहको लागि अनुकूलित गर्न सकिन्छ।

सेमीकन्डक्टर निर्माण मा आवेदन

6 इन्च SiC डुङ्गा मुख्यतया सेमीकन्डक्टर निर्माणमा उच्च-तापमान थर्मल प्रक्रियाहरूमा प्रयोग गरिन्छ। यो विशेष गरी अक्सिडेशन र डिफ्युजन फर्नेसहरूमा प्रभावकारी हुन्छ, जहाँ सफल वेफर प्रशोधनको लागि तापमान र वातावरणको सटीक नियन्त्रण आवश्यक हुन्छ।

• ओक्सीकरण प्रक्रिया: अक्सीकरण प्रक्रियाको क्रममा, सिलिकन वेफरहरू उच्च तापमानमा अक्सिजनको सम्पर्कमा आउँछन् र वेफर सतहमा पातलो सिलिकन डाइअक्साइड तह बनाउँछ। 6 इन्च SiC डुङ्गाले यो उच्च-तापमान प्रक्रियाको समयमा वेफर्सहरू सुरक्षित र समान रूपमा राखिएको सुनिश्चित गर्दछ, विरूपण वा मिसलाइनमेन्टलाई रोक्न र एकसमान अक्साइड तहको वृद्धि सुनिश्चित गर्दछ।
• प्रसार प्रक्रिया: प्रसार प्रक्रियामा, डोपन्टहरू यसको विद्युतीय गुणहरू परिमार्जन गर्न सिलिकन वेफरमा प्रस्तुत गरिन्छ। SiC डुङ्गाले यस महत्वपूर्ण चरणमा वेफर्सको लागि स्थिर र भरपर्दो समर्थन प्रदान गर्दछ, जहाँ उच्च तापमान र प्रसार वातावरणको सटीक नियन्त्रण सर्वोपरि हुन्छ। यसको उत्कृष्ट थर्मल स्थिरताले समान तताउने सुनिश्चित गर्दछ, जुन चाहिएको डोपन्ट प्रोफाइल प्राप्त गर्नको लागि महत्त्वपूर्ण छ।
• अन्य उच्च-तापमान अनुप्रयोगहरू: अक्सिडेसन र डिफ्युजन भन्दा परे, 6 इन्च SiC डुङ्गा अन्य उच्च-तापमान प्रक्रियाहरूमा प्रयोग गर्न सकिन्छ, जस्तै annealing, nitridation, र epitaxial वृद्धि। यसको उच्च थर्मल चालकता र थर्मल झटका प्रतिरोधले यसलाई अर्धचालक उपकरण निर्माणको विभिन्न चरणहरूको लागि बहुमुखी समाधान बनाउँछ।

अन्य सामाग्री भन्दा लाभ

क्वार्ट्ज वा ग्रेफाइट जस्ता परम्परागत सामग्रीहरूको तुलनामा, सिलिकन कार्बाइडले अर्धचालक निर्माणमा महत्त्वपूर्ण फाइदाहरू प्रदान गर्दछ। क्वार्ट्ज डुङ्गाहरू थर्मल झटका र रासायनिक प्रतिक्रियाहरूको लागि अधिक संवेदनशील हुन्छन्, जबकि ग्रेफाइट डुङ्गाहरू बाहिर निस्कन सक्छन् र प्रदूषण परिचय गर्न सक्छन्। अर्कोतर्फ, SiC डुङ्गाहरूले प्रदूषण, थर्मल अस्थिरता, वा गिरावटको जोखिम बिना कठोर वातावरणमा आफ्नो प्रदर्शन कायम राख्छन्। यसले 6 इन्च SiC डुङ्गालाई उच्च-तापमान अर्धचालक प्रशोधनका लागि थप भरपर्दो र प्रभावकारी विकल्प बनाउँछ।

Semicorex 6 इन्च SiC डुङ्गा अर्धचालक उद्योग मा एक महत्वपूर्ण घटक हो, आवश्यक स्थिरता, रासायनिक प्रतिरोध, र उन्नत वेफर प्रशोधन को लागी आवश्यक थर्मल प्रदर्शन प्रदान गर्दछ। यसको उच्च थर्मल चालकता, रासायनिक जंगको प्रतिरोध, र न्यूनतम प्रदूषण जोखिमले यसलाई अक्सीकरण, प्रसार, र अन्य उच्च-तापमान अर्धचालक प्रक्रियाहरूको लागि आदर्श विकल्प बनाउँछ। चाहे अनुसन्धान र विकास वा ठूला-ठूला उत्पादनमा प्रयोग गरियोस्, 6 इन्च SiC डुङ्गाले अर्धचालक निर्माणमा उच्चतम गुणस्तरको नतिजा सुनिश्चित गर्न आवश्यक प्रदर्शन र विश्वसनीयता प्रदान गर्दछ।