एपिटेक्सियल वेफर डुङ्गा

Semicorex ले ठाडो / स्तम्भ र तेर्सो कन्फिगरेसन दुवैका लागि वेफर डुङ्गाहरू, पेडेस्टलहरू, र अनुकूलन वेफर क्यारियरहरू प्रदान गर्दछ। हामी धेरै वर्ष देखि सिलिकन कार्बाइड कोटिंग फिल्म को निर्माता र आपूर्तिकर्ता भएको छ। हाम्रो Epitaxial Wafer Boat सँग राम्रो मूल्य लाभ छ र धेरै जसो युरोपेली र अमेरिकी बजारहरू कभर गर्दछ। हामी चीनमा तपाईंको दीर्घकालीन साझेदार बन्न तत्पर छौं।

सोधपुछ पठाउनुहोस्

उत्पादन विवरण

Semicorex Epitaxial Wafer Boat, अर्धचालक निर्माणमा वेफर प्रशोधनको लागि उत्तम समाधान। हाम्रा एपिटेक्सियल वेफर डुङ्गाहरू उच्च-गुणस्तरको सिलिकन कार्बाइड (SiC) सिरेमिकबाट बनेका छन् जसले उच्च तापक्रम र रासायनिक क्षरणमा उच्च प्रतिरोध प्रदान गर्दछ।
हाम्रो सिलिकन कार्बाइड एपिटेक्सियल वेफर डुङ्गाको चिल्लो सतह छ जसले कण उत्पादनलाई कम गर्छ, तपाईंको उत्पादनहरूको लागि उच्च स्तरको शुद्धता सुनिश्चित गर्दछ। उत्कृष्ट थर्मल चालकता र उत्कृष्ट मेकानिकल बलको साथ, हाम्रा डुङ्गाहरूले निरन्तर र भरपर्दो परिणामहरू प्रदान गर्छन्।
हाम्रा एपिटेक्सियल वेफर डुङ्गाहरू सबै मानक वेफर प्रशोधन उपकरणहरूसँग मिल्दो छन् र 1600 डिग्री सेल्सियस सम्मको तापक्रम सहन सक्छ। तिनीहरू ह्यान्डल गर्न र सफा गर्न सजिलो छन्, तिनीहरूलाई तपाईंको निर्माण आवश्यकताहरूको लागि लागत-प्रभावी र कुशल छनौट बनाउन।
हाम्रो विशेषज्ञहरूको टोली उत्कृष्ट गुणस्तर र सेवा प्रदान गर्न प्रतिबद्ध छ। हामी तपाईंको विशिष्ट आवश्यकताहरू पूरा गर्न अनुकूलन डिजाइनहरू प्रस्ताव गर्दछौं, र हाम्रा उत्पादनहरू हाम्रो गुणस्तर आश्वासन कार्यक्रमद्वारा समर्थित छन्।

Epitaxial Wafer Boat को प्यारामिटरहरू

प्राविधिक गुणहरू
अनुक्रमणिका	एकाइ	मूल्य
सामग्रीको नाम		प्रतिक्रिया Sintered सिलिकन कार्बाइड	दबाव रहित सिंटर सिलिकन कार्बाइड	पुन: स्थापित सिलिकन कार्बाइड
रचना		RBSiC	SSiC	R-SiC
बल्क घनत्व	g/cm3	3	३.१५ ± ०.०३	२.६०-२.७०
लचिलो शक्ति	MPa (kpsi)	३३८(४९)	३८०(५५)	80-90 (20°C)90-100(1400°C)
कम्प्रेसिभ शक्ति	MPa (kpsi)	११२०(१५८)	३९७०(५६०)	> 600
कठोरता	नूप	2700	2800	/
तोड्ने दृढता	MPa m1/2	4.5	4	/
थर्मल चालकता	W/m.k	95	120	23
थर्मल विस्तार को गुणांक	10^-6.1/°C	5	4	4.7
विशिष्ट गर्मी	जुल/g 0k	0.8	0.67	/
हावा मा अधिकतम तापमान	℃	1200	1500	1600
लोचदार मोडुलस	Gpa	360	410	240

SSiC र RBSiC बीचको भिन्नता:

1. Sintering प्रक्रिया फरक छ। RBSiC कम तापक्रममा सिलिकन कार्बाइडमा नि:शुल्क Si घुसाउनु हो, SSiC 2100 डिग्रीमा प्राकृतिक संकुचनद्वारा बनाइएको हो।

2. SSiC मा चिल्लो सतह, उच्च घनत्व र उच्च बल छ, अधिक कडा सतह आवश्यकताहरु संग केहि सील को लागी, SSiC राम्रो हुनेछ।

3. विभिन्न PH र तापमान अन्तर्गत विभिन्न प्रयोग गरिएको समय, SSiC RBSiC भन्दा लामो छ

सिलिकन कार्बाइड एपिटेक्सियल वेफर बोटका विशेषताहरू

MOCVD द्वारा उच्च शुद्धता SiC लेपित
उच्च गर्मी प्रतिरोध र थर्मल एकरूपता
चिल्लो सतहको लागि राम्रो SiC क्रिस्टल लेपित
रासायनिक सफाई विरुद्ध उच्च स्थायित्व
सामाग्री डिजाइन गरिएको छ ताकि दरार र delamination देखा पर्दैन।