सिलिकन कार्बाइड सिरेमिक पुन: निर्माण के हो?

पुन: स्थापितसिलिकन कार्बाइडएक उच्च-प्रदर्शन सिरेमिक हो जुन SiC कणहरूलाई वाष्पीकरण-कन्डेन्सेसन मेकानिजम मार्फत मिलाएर बलियो ठोस-चरण सिन्टर्ड बडी बनाउनको लागि बनाइएको हो। यसको सबैभन्दा उल्लेखनीय विशेषता यो हो कि कुनै sintering एड्स थपिएको छैन, र अन्तिम उत्पादन लगभग शुद्ध सिलिकन कार्बाइड हो, जसले यसलाई अत्यन्त उत्कृष्ट उच्च-तापमान प्रदर्शन र रासायनिक स्थिरता दिन्छ।

पुन: स्थापित सिलिकन कार्बाइड सिरेमिक निर्माण प्रक्रिया

विभिन्न कण आकारको उच्च शुद्धता सिलिकन कार्बाइड पाउडरलाई निश्चित अनुपातमा वर्गीकरण गरेपछि, स्लिप कास्टिङ, प्रेस मोल्डिङ र एक्सट्रुजन मोल्डिङद्वारा इच्छित आकारको हरियो बडी बनाइन्छ। यी हरियो शरीरहरू अति-उच्च तापक्रम (2100-2500 °C) एक अक्रिय वायुमण्डलमा (जस्तै आर्गन) वा खाली ठाउँमा sintered छन्। यस वातावरणमा, SiC कणहरूको सतहमा भएका परमाणुहरू वाष्पीकरण हुन्छन् र त्यसपछि कणहरूको घाँटी क्षेत्रमा गाढा हुन्छन् र जम्मा हुन्छन्, कणहरूको सम्पर्क बिन्दुमा एक बलियो जडान बनाउँदछ जुन सिन्टेड बडी बनाउँदछ। नतिजाको रूपमा, पुन: स्थापना गरिएको सिलिकन कार्बाइडले सिंटरिङ प्रक्रियाको क्रममा कुनै संकुचन वा तरल चरण प्रदर्शन गर्दैन, अन्ततः अन्तरसम्बन्धित छिद्रहरूको साथ एक छिद्रपूर्ण नेटवर्क कंकाल संरचना बनाउँछ।

विशेषताहरू र पुन: स्थापित सिलिकन कार्बाइडको अनुप्रयोगहरू

RSiC मा 99% भन्दा बढी सिलिकन कार्बाइड समावेश छ, धेरै स्पष्ट अन्न सीमाहरू छन्, र मूल रूपमा गिलास चरण र अशुद्धता समावेश गर्दैन। यसमा उत्कृष्ट उच्च-तापमान प्रतिरोध, उत्कृष्ट थर्मल झटका प्रतिरोध, उत्कृष्ट अक्सीकरण प्रतिरोध, र उत्कृष्ट रासायनिक जंग प्रतिरोध छ। यो उच्च-तापमान भट्टा फर्नीचर, बर्नर नोजल, थर्मल कन्वर्टर्स, रासायनिक उद्योग, धातु smelting र अत्यन्त कडा प्रदर्शन आवश्यकताहरु संग अन्य वातावरण मा प्रयोग को लागी उपयुक्त छ।

यस सिंटरिङ मेकानिजम अन्तर्गत, RSIC को कोठाको तापक्रममा उच्च पोरोसिटी र कम लचिलो शक्ति छ, जसले उच्च कोठाको तापक्रम बल आवश्यकताहरू भएका संरचनात्मक भागहरूमा यसको प्रयोगलाई सीमित गर्दछ। जे होस्, यस सामग्रीको अन्तरसम्बन्धित छिद्रहरूको नेटवर्क कंकाल संरचनाको कारण, यसले छिद्रपूर्ण सामग्रीको क्षेत्रमा व्यापक प्रयोग सम्भावनाहरू छन् र निकास ग्यास निस्पंदन, जीवाश्म ईन्धन वायु निस्पंदन, इत्यादिको क्षेत्रमा परम्परागत छिद्रपूर्ण उत्पादनहरूलाई प्रतिस्थापन गर्न सक्छ।