CVD विधिको साथ TaC कोटिंग

ट्यान्टलम कार्बाइड कोटिंग एक महत्त्वपूर्ण उच्च-शक्ति, जंग-प्रतिरोधी र रासायनिक रूपमा स्थिर उच्च-तापमान संरचनात्मक सामग्री हो जसको पिघलने बिन्दु 4273 डिग्री सेल्सियस सम्म हुन्छ, उच्च तापमान प्रतिरोधको साथ धेरै यौगिकहरू मध्ये एक। यसमा उत्कृष्ट उच्च-तापमान मेकानिकल गुणहरू, उच्च-गति वायुप्रवाह स्काउरिङको प्रतिरोध, पृथक प्रतिरोध, र ग्रेफाइट र कार्बन/कार्बन कम्पोजिटहरूसँग राम्रो रासायनिक र मेकानिकल अनुकूलता छ। तसर्थ, GaN LEDs र SiC पावर उपकरणहरू जस्तै MOCVD, TaC कोटिंगको एपिटेक्सियल प्रक्रियामा H2, HCl, NH3 को लागि उत्कृष्ट एसिड र क्षार प्रतिरोध छ, जसले ग्रेफाइट सब्सट्रेट सामग्रीलाई पूर्ण रूपमा सुरक्षित गर्न र वृद्धि वातावरणलाई शुद्ध गर्न सक्छ।

TaC कोटिंग 2000 °C भन्दा माथिको तापक्रममा स्थिर रहन्छ, जबकि SiC कोटिंग 1200-1400 °C मा सड्न थाल्छ, जसले ग्रेफाइट सब्सट्रेटको अखण्डतामा पनि धेरै सुधार गर्दछ। ट्यान्टलम कार्बाइड कोटिंग्स हाल ग्रेफाइट सब्सट्रेटहरूमा मुख्य रूपमा CVD द्वारा तयार गरिन्छ, र TaC कोटिंग्सको उत्पादन क्षमतालाई SiC पावर उपकरणहरू र GaNLEDs epitaxial उपकरणहरूको माग पूरा गर्न थप बढाइनेछ।

रासायनिक वाष्प निक्षेप (CVD) द्वारा कार्बन सामग्रीमा ट्यान्टालम कार्बाइड कोटिंग्स जम्मा गर्न प्रयोग गरिने रासायनिक प्रतिक्रिया प्रणाली TaCl5, C3H6, H2 र Ar हो, जहाँ Ar लाई पातलो र ग्यास बोक्ने रूपमा प्रयोग गरिन्छ।

ट्यान्टलम कार्बाइड कोटिंग्सले MOCVD प्रयोग गरेर GaN LEDs र SiC पावर उपकरणहरूको एपिटेक्सियल प्रक्रियामा निर्णायक भूमिका खेल्छ। उन्नत सामग्रीहरूले उच्च-तापमान अर्धचालक निर्माणसँग सम्बन्धित कठोर परिस्थितिहरूमा तिनीहरूको दीर्घायु र प्रदर्शन सुनिश्चित गर्दै महत्त्वपूर्ण कम्पोनेन्टहरू सुरक्षित गर्दछ।

SiC पावर उपकरणहरू र GaN LEDs को माग बढ्दै जाँदा, ट्यान्टलम कार्बाइड कोटिंग्सको उत्पादन क्षमता विस्तार गर्न सेट गरिएको छ। उत्पादकहरू यी उद्योगहरूको बढ्दो आवश्यकताहरू पूरा गर्न तयार छन्, उच्च-तापमान प्रविधिको विकासलाई सहज बनाउँदै।

निश्कर्षमा,ट्यान्टलम कार्बाइड कोटिंग्सउच्च-तापमान वातावरणमा सामग्रीको स्थायित्व र विश्वसनीयता सुनिश्चित गर्नमा अविश्वसनीय प्राविधिक छलांग प्रतिनिधित्व गर्दछ। सेमिकन्डक्टर र पावर इलेक्ट्रोनिक्स क्षेत्रहरूमा क्रान्तिकारी परिवर्तन गरिरहँदा, यी कोटिंगहरूले आफ्नो स्थितिलाई आधुनिक हाई-टेक प्रगतिहरूको महत्त्वपूर्ण तत्वको रूपमा रेखांकित गर्दछ।