CVD-SiC कोटिंग्समा तापमानको प्रभाव

रासायनिक वाष्प निक्षेप (CVD) एयरोस्पेस, इलेक्ट्रोनिक्स, र सामग्री विज्ञान जस्ता उद्योगहरूमा विभिन्न अनुप्रयोगहरूको साथ उच्च-गुणस्तर कोटिंग्स उत्पादन गर्न बहुमुखी प्रविधि हो। CVD-SiC कोटिंग्स उच्च तापमान प्रतिरोध, मेकानिकल बल, र उत्कृष्ट जंग प्रतिरोध सहित तिनीहरूको असाधारण गुणहरूको लागि परिचित छन्। CVD-SiC को विकास प्रक्रिया अत्यधिक जटिल र धेरै मापदण्डहरूमा संवेदनशील छ, तापमान एक महत्वपूर्ण कारक हो। यस लेखमा, हामी CVD-SiC कोटिंग्समा तापक्रमको प्रभावहरू र इष्टतम निक्षेप तापक्रम चयन गर्ने महत्त्वको अन्वेषण गर्नेछौं।

CVD-SiC को विकास प्रक्रिया अपेक्षाकृत जटिल छ, र प्रक्रियालाई निम्नानुसार संक्षेप गर्न सकिन्छ: उच्च तापमानमा, MTS थर्मल रूपमा सानो कार्बन र सिलिकन अणुहरू बनाउनको लागि विघटित हुन्छ, मुख्य कार्बन स्रोत अणुहरू CH3, C2H2 र C2H4 हुन्, र मुख्य सिलिकन स्रोत अणुहरू SiCl2 र SiCl3, आदि हुन्; यी साना कार्बन र सिलिकन अणुहरू त्यसपछि ग्रेफाइट सब्सट्रेटको सतहको छेउमा वाहक र कमजोर ग्यासहरूद्वारा ढुवानी गरिन्छ, र त्यसपछि तिनीहरू adsorbate अवस्थाको रूपमा सोखिन्छन्। यी साना अणुहरूलाई वाहक ग्यास र डिलिसन ग्यासद्वारा ग्रेफाइट सब्सट्रेटको सतहमा सारिनेछ, र त्यसपछि यी साना अणुहरू सब्सट्रेटको सतहमा शोषण अवस्थाको रूपमा अवशोषित हुनेछन्, र त्यसपछि साना अणुहरूले प्रत्येकसँग प्रतिक्रिया गर्नेछन्। अन्य साना थोपाहरू बनाउन र बढ्छ, र थोपाहरू पनि एकअर्कासँग मर्ज हुनेछन्, र प्रतिक्रिया मध्यवर्ती उप-उत्पादनहरू (HCl ग्यास) को गठनको साथमा हुन्छ; ग्रेफाइट सब्सट्रेटको सतहको उच्च तापक्रमको कारण, मध्यवर्ती ग्यासहरू सब्सट्रेटको सतहबाट विस्थापित हुनेछन्, र त्यसपछि अवशिष्ट C र Si ठोस अवस्थामा बन्नेछ। अन्तमा, सब्सट्रेट सतहमा बाँकी रहेको C र Si ले SiC कोटिंग बनाउनको लागि ठोस चरण SiC बनाउनेछ।

मा तापक्रमCVD-SiC कोटिंगप्रक्रियाहरू एक महत्वपूर्ण प्यारामिटर हो जसले वृद्धि दर, क्रिस्टलिनिटी, एकरूपता, उप-उत्पादनहरूको गठन, सब्सट्रेट अनुकूलता, र ऊर्जा लागतहरूलाई असर गर्छ। इष्टतम तापक्रमको छनोट, यस अवस्थामा, 1100°C, ले वांछित कोटिंग गुणस्तर र गुणहरू प्राप्त गर्न यी कारकहरू बीचको व्यापार-अफ प्रतिनिधित्व गर्दछ।