> समाचार > उद्योग समाचार

उद्योग समाचार

आयन प्रत्यारोपण र प्रसार प्रक्रिया

आयन इम्प्लान्टेशन अर्धचालक डोपिङको एक विधि हो र अर्धचालक निर्माणमा मुख्य प्रक्रियाहरू मध्ये एक हो।

SiC र GaN पावर उपकरणहरूमा आयन इम्प्लान्टेशन टेक्नोलोजीका चुनौतीहरू

सिलिकन कार्बाइड (SiC) र ग्यालियम नाइट्राइड (GaN) जस्ता वाइड ब्यान्डग्याप (WBG) अर्धचालकहरूले पावर इलेक्ट्रोनिक उपकरणहरूमा बढ्दो महत्त्वपूर्ण भूमिका खेल्ने अपेक्षा गरिएको छ। तिनीहरूले परम्परागत सिलिकन (Si) उपकरणहरूमा धेरै फाइदाहरू प्रस्ताव गर्छन्, उच्च दक्षता, पावर घनत्व, र स्विचिंग फ्रिक्वेन्सी सहित......

थप पढ्नुहोस्

अर्धचालक निर्माणमा क्वार्ट्जको विभिन्न अनुप्रयोगहरू

पहिलो नजरमा, क्वार्ट्ज (SiO2) सामग्री गिलाससँग धेरै मिल्दोजुल्दो देखिन्छ, तर के विशेष छ कि सामान्य गिलास धेरै घटकहरू (जस्तै क्वार्ट्ज बालुवा, बोराक्स, बोरिक एसिड, बेराइट, बेरियम कार्बोनेट, चूना पत्थर, फेल्डस्पर, सोडा खरानी) मिलेर बनेको हुन्छ। , आदि), जबकि क्वार्ट्जले SiO2 मात्र समावेश गर्दछ, र यसको ......

थप पढ्नुहोस्

पूर्ण सेमीकन्डक्टर उपकरण निर्माण प्रक्रिया बुझ्दै

अर्धचालक यन्त्रहरूको निर्माणले मुख्य रूपमा चार प्रकारका प्रक्रियाहरू समावेश गर्दछ: (१) फोटोलिथोग्राफी (२) डोपिङ प्रविधि (३) फिल्म डिपोजिसन (४) इचिङ प्रविधि विशेष प्रविधिहरूमा फोटोलिथोग्राफी, आयन इम्प्लान्टेशन, द्रुत थर्मल प्रशोधन (RTP), प्लाज्मा-एन्हान्स्ड केमिकल भाप डिपोजिसन (PECVD), स्पटरिङ,......

थप पढ्नुहोस्

SiC सब्सट्रेटहरू तयार गर्न कठिनाई

वर्तमानमा, सब्सट्रेट विकासको सबैभन्दा महत्त्वपूर्ण दिशा प्रवृत्ति व्यास विस्तार गर्न हो। विश्वव्यापी SiC बजारमा 6 इन्चको ठूलो उत्पादन लाइन परिपक्व हुँदैछ, र प्रमुख कम्पनीहरूले 8 इन्चको बजारमा प्रवेश गरेका छन्।

थप पढ्नुहोस्

सिलिकन कार्बाइड सब्सट्रेट

सिलिकन कार्बाइड सब्सट्रेटको प्रक्रिया जटिल र निर्माण गर्न गाह्रो छ। SiC सब्सट्रेटले उद्योग श्रृंखलाको मुख्य मूल्य ओगटेको छ, 47% को लागी लेखांकन। आगामी दिनमा उत्पादन क्षमता विस्तार र उपजको सुधारसँगै ३० प्रतिशतमा झर्ने अपेक्षा गरिएको छ ।

थप पढ्नुहोस्

<...8 9 10 11 12...22 >