समाचार

SiC लेपित ग्रेफाइट ससेप्टर बजारको पर्याप्त वृद्धि

MOCVD प्रमुख उपकरण हो

अर्धचालक परियोजनाहरूमा कोष

प्रत्येक देश चिप्सको महत्त्व बारे सचेत छ र अब अर्को चिप अभाव समस्या रोक्नको लागि आफ्नै चिप उत्पादन आपूर्ति श्रृंखला इकोसिस्टमको निर्माणलाई गति दिइरहेको छ। तर नेक्स्ट-जेन चिप डिजाइनर बिनाको उन्नत फाउन्ड्रीहरू चिप्स बिनाको फ्याबजस्तै हुनेछन्।

TSMC: अर्को वर्ष 2nm प्रक्रिया जोखिम परीक्षण उत्पादन

आफ्नो भर्खरै जारी गरिएको वार्षिक प्रतिवेदनमा, TSMC अध्यक्ष देइन लिउ र सीईओ चिह-जिया वेईले 2nm प्रक्रियासँग सम्बन्धित प्रगति प्रकट गरे।

एपिटेक्सियल तहहरूका लागि आवेदन परिदृश्यहरू

हामीलाई थाहा छ कि उपकरण निर्माणका लागि केही वेफर सब्सट्रेटहरूको शीर्षमा थप एपिटेक्सियल तहहरू निर्माण गर्न आवश्यक छ, सामान्यतया एलईडी प्रकाश उत्सर्जन गर्ने उपकरणहरू, जसलाई सिलिकन सब्सट्रेटहरूको शीर्षमा GaAs एपिटेक्सियल तहहरू आवश्यक पर्दछ; SiC epitaxial तहहरू उच्च भोल्टेज, उच्च वर्तमान र अन्य पावर अनु......

CVD फर्नेस छलफल गर्दै