Wafer Epitaxial को लागि SiC लेपित बैरल ससेप्टर

Wafer Epitaxial को लागि Semicorex SiC लेपित ब्यारेल ससेप्टर एकल क्रिस्टल वृद्धि अनुप्रयोगहरूको लागि उत्तम विकल्प हो, यसको असाधारण समतल सतह र उच्च-गुणस्तर SiC कोटिंगको लागि धन्यवाद। यसको उच्च पिघलने बिन्दु, अक्सीकरण प्रतिरोध, र जंग प्रतिरोधले यसलाई उच्च-तापमान र संक्षारक वातावरणमा प्रयोगको लागि एक आदर्श विकल्प बनाउँछ।

सोधपुछ पठाउनुहोस्

उत्पादन विवरण

असाधारण गर्मी वितरण र थर्मल चालकता संग ग्रेफाइट ससेप्टर खोज्दै हुनुहुन्छ? एपिटेक्सियल प्रक्रियाहरू र अन्य सेमीकन्डक्टर उत्पादन अनुप्रयोगहरूमा उत्कृष्ट प्रदर्शनको लागि उच्च-शुद्धता SiC लेपित, Wafer Epitaxial को लागि Semicorex SiC लेपित ब्यारेल ससेप्टर भन्दा अगाडि नहेर्नुहोस्।
Semicorex मा, हामी हाम्रा ग्राहकहरूलाई उच्च-गुणवत्ता, लागत-प्रभावी उत्पादनहरू उपलब्ध गराउनमा केन्द्रित छौं। Wafer Epitaxial को लागि हाम्रो SiC लेपित ब्यारेल ससेप्टरको मूल्य लाभ छ र धेरै युरोपेली र अमेरिकी बजारहरूमा निर्यात गरिन्छ। हामी तपाईंको दीर्घकालीन साझेदार बन्ने लक्ष्य राख्छौं, निरन्तर गुणस्तर उत्पादनहरू र असाधारण ग्राहक सेवा प्रदान गर्दै।

Wafer Epitaxial को लागि SiC लेपित ब्यारेल ससेप्टरको प्यारामिटरहरू

CVD-SIC कोटिंग को मुख्य निर्दिष्टीकरण
SiC-CVD गुणहरू
क्रिस्टल संरचना	FCC β चरण
घनत्व	g/cm ³	3.21
कठोरता	Vickers कठोरता	2500
अनाज आकार	μm	२~१०
रासायनिक शुद्धता	%	99.99995
गर्मी क्षमता	J kg-1 K-1	640
उदात्तीकरण तापमान	℃	2700
फेलेक्सरल शक्ति	MPa (RT 4-बिन्दु)	415
युवाको मोडुलस	Gpa (4pt बेंड, 1300℃)	430
थर्मल विस्तार (C.T.E)	10-6K-1	4.5
थर्मल चालकता	(W/mK)	300

Wafer Epitaxial को लागि SiC लेपित ब्यारेल ससेप्टर को विशेषताहरु

- दुवै ग्रेफाइट सब्सट्रेट र सिलिकन कार्बाइड तह राम्रो घनत्व छ र उच्च तापमान र संक्षारक काम वातावरण मा राम्रो सुरक्षा भूमिका खेल्न सक्छ।

- सिलिकन कार्बाइड लेपित ससेप्टर एकल क्रिस्टल वृद्धिको लागि प्रयोग गरिएको धेरै उच्च सतह समतलता छ।

- ग्रेफाइट सब्सट्रेट र सिलिकन कार्बाइड तह बीचको थर्मल विस्तार गुणांकमा भिन्नता घटाउनुहोस्, क्र्याकिंग र डेलामिनेशन रोक्नको लागि प्रभावकारी रूपमा बन्डिङ बल सुधार गर्नुहोस्।

- दुबै ग्रेफाइट सब्सट्रेट र सिलिकन कार्बाइड तहमा उच्च थर्मल चालकता, र उत्कृष्ट ताप वितरण गुणहरू छन्।

- उच्च पिघलने बिन्दु, उच्च तापमान ओक्सीकरण प्रतिरोध, जंग प्रतिरोध।