Semicorex चीनमा सिलिकन कार्बाइड लेपित ग्रेफाइट ससेप्टरको ठूलो मात्रामा निर्माता र आपूर्तिकर्ता हो। हामी सिलिकन कार्बाइड लेयर र एपिटेक्सी सेमीकन्डक्टर जस्ता सेमीकन्डक्टर उद्योगहरूमा फोकस गर्छौं। हाम्रो SiC End Effector सँग राम्रो मूल्य लाभ छ र यसले धेरै युरोपेली र अमेरिकी बजारहरू कभर गर्दछ। हामी चीनमा तपाईंको दीर्घकालीन साझेदार बन्न तत्पर छौं।
Semicorex SiC End Effector सिलिकन कार्बाइड कोटिंग (SiC) ग्रेफाइट द्वारा बनाईएको हो, कोटिंग उच्च घनत्व ग्रेफाइट को विशिष्ट ग्रेड मा CVD विधि द्वारा लागू गरिन्छ, त्यसैले यो एक अक्रिय वातावरण मा 3000 ° C भन्दा बढी संग उच्च तापमान भट्टी मा काम गर्न सक्छ, 2200°C भ्याकुममा।
हाम्रो SiC End Efector लाई उत्कृष्ट ल्यामिनार ग्यास प्रवाह ढाँचा प्राप्त गर्न डिजाइन गरिएको छ, थर्मल प्रोफाइलको समानता सुनिश्चित गर्दै। यसले वेफर चिपमा उच्च-गुणस्तरको एपिटेक्सियल वृद्धि सुनिश्चित गर्दै कुनै पनि प्रदूषण वा अशुद्धता फैलाउनबाट रोक्न मद्दत गर्दछ।
हाम्रो SiC End Effector बारे थप जान्नको लागि आज हामीलाई सम्पर्क गर्नुहोस्।
SiC End Effector को प्यारामिटरहरू
CVD-SIC कोटिंग को मुख्य निर्दिष्टीकरण |
||
SiC-CVD गुणहरू |
||
क्रिस्टल संरचना |
FCC β चरण |
|
घनत्व |
g/cm ³ |
3.21 |
कठोरता |
Vickers कठोरता |
2500 |
अनाज आकार |
¼m |
२~१० |
रासायनिक शुद्धता |
% |
99.99995 |
गर्मी क्षमता |
J·kg-1 · K-1 |
640 |
उदात्तीकरण तापमान |
℃ |
2700 |
फेलेक्सरल शक्ति |
MPa (RT 4-बिन्दु) |
415 |
युवाको मोडुलस |
Gpa (4pt bend, 1300â) |
430 |
थर्मल विस्तार (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
थर्मल चालकता |
(W/mK) |
300 |
SiC End Effector को विशेषताहरू
- छिलकाबाट बच्नुहोस् र सबै सतहमा कोटिंग सुनिश्चित गर्नुहोस्
उच्च तापमान ओक्सीकरण प्रतिरोध: 1600 डिग्री सेल्सियस सम्म उच्च तापमानमा स्थिर
उच्च शुद्धता: उच्च तापमान क्लोरिनेशन अवस्था अन्तर्गत CVD रासायनिक वाष्प निक्षेप द्वारा बनाईएको।
जंग प्रतिरोध: उच्च कठोरता, घने सतह र ठीक कणहरू।
जंग प्रतिरोध: एसिड, क्षार, नुन र जैविक अभिकर्मक।
- उत्तम लामिना ग्यास प्रवाह ढाँचा प्राप्त गर्नुहोस्
- थर्मल प्रोफाइल को समानता ग्यारेन्टी
- कुनै पनि प्रदूषण वा अशुद्धता फैलावट रोक्न