सिलिकन कार्बाइड एपिटेक्सी ससेप्टर

Semicorex ले ग्रेफाइट, सिरेमिक र सिलिकन कार्बाइड एपिटेक्सी ससेप्टर जस्ता अन्य सामग्रीहरूको सतहमा CVD विधिद्वारा SiC कोटिंग प्रक्रिया सेवाहरू प्रदान गर्दछ, ताकि कार्बन र सिलिकन युक्त विशेष ग्यासहरू उच्च तापक्रममा प्रतिक्रिया गर्न उच्च शुद्धता SiC अणुहरू, अणुहरूमा जम्मा हुन्छन्। लेपित सामग्री को सतह, SIC सुरक्षात्मक तह गठन। बनाइएको एसआईसी ग्रेफाइट आधारसँग दृढतापूर्वक बाँधिएको छ, ग्रेफाइट आधारलाई विशेष गुणहरू प्रदान गर्दै, यसरी ग्रेफाइटको सतह कम्प्याक्ट, पोरोसिटी-मुक्त, उच्च तापमान प्रतिरोध, जंग प्रतिरोध र ओक्सीकरण प्रतिरोध बनाउँछ।
हाम्रो सिलिकन कार्बाइड एपिटेक्सी ससेप्टरलाई थर्मल प्रोफाइलको समानता सुनिश्चित गर्दै, उत्तम लामिनार ग्यास प्रवाह ढाँचा प्राप्त गर्न डिजाइन गरिएको हो। यसले वेफर चिपमा उच्च-गुणस्तरको एपिटेक्सियल वृद्धि सुनिश्चित गर्दै कुनै पनि प्रदूषण वा अशुद्धता फैलाउनबाट रोक्न मद्दत गर्दछ।
हाम्रो सिलिकन कार्बाइड Epitaxy ससेप्टर बारे थप जान्नको लागि आज हामीलाई सम्पर्क गर्नुहोस्।

सिलिकन कार्बाइड एपिटेक्सी ससेप्टरको प्यारामिटरहरू

सिलिकन कार्बाइड एपिटेक्सी ससेप्टरका विशेषताहरू

- दुबै ग्रेफाइट सब्सट्रेट र सिलिकन कार्बाइड तहमा राम्रो घनत्व छ र उच्च तापक्रम र संक्षारक कार्य वातावरणमा राम्रो सुरक्षात्मक भूमिका खेल्न सक्छ।
- सिलिकन कार्बाइड लेपित ससेप्टर एकल क्रिस्टल वृद्धिको लागि प्रयोग गरिएको धेरै उच्च सतह समतलता छ।
- ग्रेफाइट सब्सट्रेट र सिलिकन कार्बाइड तह बीचको थर्मल विस्तार गुणांकमा भिन्नता घटाउनुहोस्, क्र्याकिंग र डेलामिनेशन रोक्नको लागि बन्डिङ बललाई प्रभावकारी रूपमा सुधार गर्नुहोस्।
- दुबै ग्रेफाइट सब्सट्रेट र सिलिकन कार्बाइड तहमा उच्च थर्मल चालकता, र उत्कृष्ट ताप वितरण गुणहरू छन्।
- उच्च पिघलने बिन्दु, उच्च तापमान ओक्सीकरण प्रतिरोध, जंग प्रतिरोध।