Aixtron G5 को लागि 6'' वेफर क्यारियर

Aixtron G5 को लागि Semicorex 6'' वेफर क्यारियर, प्रायः ससेप्टर भनेर चिनिन्छ, उच्च-तापमान प्रशोधन गर्दा सेमीकन्डक्टर वेफरहरूलाई सुरक्षित रूपमा समातेर महत्त्वपूर्ण भूमिका खेल्छ। ससेप्टरहरूले सुनिश्चित गर्छन् कि वेफर्स एक निश्चित स्थितिमा रहन्छ, जुन एकसमान तह जम्माको लागि महत्त्वपूर्ण छ:

थर्मल व्यवस्थापन:

Aixtron G5 को लागि 6'' वेफर क्यारियर वेफर सतहमा एकसमान तताउने र शीतलन प्रदान गर्न डिजाइन गरिएको हो, जुन उच्च गुणस्तरको अर्धचालक तहहरू सिर्जना गर्न प्रयोग हुने एपिटेक्सियल वृद्धि प्रक्रियाहरूको लागि महत्वपूर्ण छ।

एपिटेक्सियल वृद्धि:

SiC र GaN तहहरू:

Aixtron G5 प्लेटफर्म मुख्यतया SiC र GaN तहहरूको epitaxial वृद्धिको लागि प्रयोग गरिन्छ। यी तहहरू उच्च-इलेक्ट्रोन-मोबिलिटी ट्रान्जिस्टरहरू (HEMTs), LEDs, र अन्य उन्नत अर्धचालक उपकरणहरूको निर्माणमा आधारभूत छन्।

परिशुद्धता र एकरूपता:

एपिटेक्सियल वृद्धि प्रक्रियामा आवश्यक उच्च परिशुद्धता र एकरूपता Aixtron G5 को लागि 6'' वेफर क्यारियरको असाधारण गुणहरूद्वारा सहज हुन्छ। क्यारियरले उच्च प्रदर्शन अर्धचालक उपकरणहरूको लागि आवश्यक कडा मोटाई र संरचना एकरूपता प्राप्त गर्न मद्दत गर्दछ।

फाइदाहरू:

उच्च तापमान स्थिरता:

चरम तापमान सहिष्णुता:

Aixtron G5 को लागि 6'' वेफर क्यारियरले अत्यधिक उच्च तापक्रम सहन सक्छ, प्राय: 1600 डिग्री सेल्सियस भन्दा बढी। यो स्थिरता एपिटेक्सियल प्रक्रियाहरूको लागि महत्त्वपूर्ण छ जसलाई विस्तारित अवधिको लागि निरन्तर उच्च तापमान आवश्यक पर्दछ।

थर्मल अखण्डता:

यस्तो उच्च तापक्रममा संरचनात्मक अखण्डता कायम राख्न Aixtron G5 को लागि 6'' वेफर क्यारियरको क्षमताले लगातार कार्यसम्पादन सुनिश्चित गर्छ र थर्मल डिग्रेडेसनको जोखिम कम गर्छ, जसले अर्धचालक तहहरूको गुणस्तरमा सम्झौता गर्न सक्छ।

उत्कृष्ट थर्मल चालकता:

गर्मी वितरण:

SiC को उच्च थर्मल चालकताले एक समान तापमान प्रोफाइल सुनिश्चित गर्दै, वेफर सतहमा कुशल ताप स्थानान्तरणलाई सुविधा दिन्छ। यो एकरूपता थर्मल ढाँचाबाट बच्नको लागि महत्त्वपूर्ण छ जसले एपिटेक्सियल तहहरूमा दोषहरू र गैर-एकरूपताहरू निम्त्याउन सक्छ।

परिष्कृत प्रक्रिया नियन्त्रण:

सुधारिएको थर्मल व्यवस्थापनले एपिटाक्सियल वृद्धि प्रक्रियामा राम्रो नियन्त्रणको लागि अनुमति दिन्छ, कम दोषहरूसँग उच्च गुणस्तरको अर्धचालक तहहरूको उत्पादन सक्षम पार्दै।

रासायनिक प्रतिरोध:

संक्षारक वातावरण अनुकूलता:

Aixtron G5 को लागि 6'' वेफर क्यारियरले हाइड्रोजन र अमोनिया जस्ता CVD प्रक्रियाहरूमा सामान्यतया प्रयोग हुने संक्षारक ग्यासहरूको लागि असाधारण प्रतिरोध प्रदान गर्दछ। यो प्रतिरोधले ग्रेफाइट सब्सट्रेटलाई रासायनिक आक्रमणबाट बचाएर वेफर क्यारियरहरूको आयु लम्ब्याउँछ।

कम मर्मत लागत:

Aixtron G5 को लागि 6'' Wafer Carrier को स्थायित्वले मर्मत र प्रतिस्थापनको फ्रिक्वेन्सी कम गर्छ, जसले गर्दा सञ्चालन लागत कम हुन्छ र Aixtron G5 उपकरणहरूको लागि अपटाइम बढ्छ।

थर्मल विस्तारको कम गुणांक (CTE):

न्यूनतम थर्मल तनाव:

SiC को कम CTE ले एपिटेक्सियल वृद्धि प्रक्रियाहरूमा निहित द्रुत ताप र शीतलन चक्रको समयमा थर्मल तनाव कम गर्न मद्दत गर्दछ। थर्मल तनावमा यो कमीले वेफर क्र्याकिंग वा वार्पिङको सम्भावनालाई कम गर्छ, जसले उपकरण विफलता निम्त्याउन सक्छ।

Aixtron G5 उपकरण संग अनुकूलता:

अनुकूल डिजाइन:

Aixtron G5 को लागि Semicorex 6'' Wafer Carrier लाई विशेष रूपमा Aixtron G5 उपकरणसँग मिल्दो हुन इन्जिनियर गरिएको छ, इष्टतम प्रदर्शन र सिमलेस एकीकरण सुनिश्चित गर्दै।

अधिकतम प्रदर्शन:

यो अनुकूलताले Aixtron G5 प्रणालीको कार्यसम्पादन र दक्षतालाई अधिकतम बनाउँछ, यसलाई आधुनिक अर्धचालक निर्माण प्रक्रियाहरूको आवश्यक आवश्यकताहरू पूरा गर्न सक्षम बनाउँछ।