समाचार

P-प्रकार SiC वेफर के हो?

एक P-प्रकार सिलिकन कार्बाइड (SiC) वेफर एक अर्धचालक सब्सट्रेट हो जुन P-प्रकार (सकारात्मक) चालकता सिर्जना गर्न अशुद्धता संग डोप गरिएको छ। सिलिकन कार्बाइड एक फराकिलो-ब्यान्डग्याप अर्धचालक सामग्री हो जसले असाधारण विद्युतीय र थर्मल गुणहरू प्रदान गर्दछ, यसलाई उच्च-शक्ति र उच्च-तापमान इलेक्ट्रोनिक उपकरणहरू......

किन SiC-लेपित ग्रेफाइट ससेप्टरहरू छनौट गर्ने?

ग्रेफाइट ससेप्टर MOCVD उपकरणमा आवश्यक भागहरू मध्ये एक हो, वेफर सब्सट्रेटको क्यारियर र हीटर हो। यसको थर्मल स्थिरता र थर्मल एकरूपताका गुणहरूले वेफर एपिटेक्सियल वृद्धिको गुणस्तरमा निर्णायक भूमिका खेल्छ, जसले लेयर सामग्रीको एकरूपता र शुद्धतालाई प्रत्यक्ष रूपमा निर्धारण गर्दछ, फलस्वरूप यसको गुणस्तरले एपि......

SiC epitaxial को प्रक्रिया के हो?

उच्च भोल्टेज क्षेत्रमा, विशेष गरी 20,000V माथि उच्च-भोल्टेज यन्त्रहरूको लागि, SiC epitaxial प्रविधि अझै पनि धेरै चुनौतीहरूको सामना गर्दछ। मुख्य कठिनाइहरू मध्ये एक उच्च एकरूपता, मोटाई, र epitaxial तह मा डोपिङ एकाग्रता हासिल छ। यस्तो उच्च भोल्टेज उपकरणहरूको निर्माणको लागि, उत्कृष्ट एकरूपता र एकाग्रताक......

SiC लेपित ग्रेफाइट ससेप्टर बजारको पर्याप्त वृद्धि

MOCVD प्रमुख उपकरण हो

अर्धचालक परियोजनाहरूमा कोष

प्रत्येक देश चिप्सको महत्त्व बारे सचेत छ र अब अर्को चिप अभाव समस्या रोक्नको लागि आफ्नै चिप उत्पादन आपूर्ति श्रृंखला इकोसिस्टमको निर्माणलाई गति दिइरहेको छ। तर नेक्स्ट-जेन चिप डिजाइनर बिनाको उन्नत फाउन्ड्रीहरू चिप्स बिनाको फ्याबजस्तै हुनेछन्।