भौतिक भाप यातायात विधि (PVT) द्वारा SiC र AlN एकल क्रिस्टलहरू बढ्ने प्रक्रियामा, क्रुसिबल, सीड क्रिस्टल होल्डर र गाइड रिङ जस्ता अवयवहरूले महत्त्वपूर्ण भूमिका खेल्छन्। SiC को तयारी प्रक्रियाको क्रममा, बीज क्रिस्टल अपेक्षाकृत कम तापक्रम क्षेत्रमा अवस्थित हुन्छ, जबकि कच्चा पदार्थ 2400 डिग्री सेल्सियस भ......
थप पढ्नुहोस्SiC सब्सट्रेट सामग्री SiC चिप को कोर हो। सब्सट्रेटको उत्पादन प्रक्रिया हो: एकल क्रिस्टल वृद्धि मार्फत SiC क्रिस्टल इन्गट प्राप्त गरेपछि; त्यसपछि SiC सब्सट्रेट तयार गर्न स्मूथिङ, राउन्डिङ, काटन, ग्राइन्डिङ (पातलो) आवश्यक हुन्छ। मेकानिकल पॉलिशिंग, रासायनिक मेकानिकल पॉलिशिंग; र सफाई, परीक्षण, आदि प्रक्......
थप पढ्नुहोस्भर्खरै, हाम्रो कम्पनीले घोषणा गर्यो कि कम्पनीले कास्टिङ विधि प्रयोग गरेर 6 इन्च ग्यालियम अक्साइड एकल क्रिस्टल सफलतापूर्वक विकास गरेको छ, 6-इन्च ग्यालियम अक्साइड एकल क्रिस्टल सब्सट्रेट तयारी प्रविधिमा मास्टर गर्ने पहिलो घरेलू औद्योगिक कम्पनी बनेको छ।
थप पढ्नुहोस्सिलिकन कार्बाइड (SiC) एक सामग्री हो जसमा असाधारण थर्मल, भौतिक र रासायनिक स्थिरता हुन्छ, प्रदर्शनी गुणहरू जुन परम्परागत सामग्रीहरू भन्दा बाहिर जान्छन्। यसको थर्मल चालकता अचम्मको 84W/(m·K) हो, जुन तामाभन्दा बढी मात्र होइन सिलिकनभन्दा तीन गुणा बढी छ। यसले थर्मल व्यवस्थापन अनुप्रयोगहरूमा प्रयोगको लागि य......
थप पढ्नुहोस्सेमीकन्डक्टर निर्माणको द्रुत रूपमा विकसित भइरहेको क्षेत्रमा, इष्टतम कार्यसम्पादन, स्थायित्व, र दक्षता हासिल गर्ने कुरामा स-साना सुधारहरूले पनि ठूलो फरक पार्न सक्छ। उद्योगमा धेरै चर्चा उत्पन्न गर्ने एउटा प्रगति भनेको ग्रेफाइट सतहहरूमा TaC (ट्यान्टलम कार्बाइड) कोटिंगको प्रयोग हो। तर वास्तवमा TaC कोटिं......
थप पढ्नुहोस्मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकन बृद्धिको प्रक्रिया मुख्यतया थर्मल क्षेत्र भित्र हुन्छ, जहाँ थर्मल वातावरणको गुणस्तरले क्रिस्टलको गुणस्तर र वृद्धि दक्षतालाई महत्त्वपूर्ण असर गर्छ। थर्मल फिल्डको डिजाइनले फर्नेस च्याम्बर भित्र तापक्रम ढाँचा र ग्यास प्रवाह गतिशीलतालाई आकार दिन महत्त्वपूर्ण भूमिका खेल्छ। यसबाहेक,......
थप पढ्नुहोस्