SiC Epitaxy रिसेप्टर

SiC Epitaxy ससेप्टर MOCVD उपकरणहरूमा एकल क्रिस्टल सब्सट्रेटहरूलाई समर्थन र तताउन प्रयोग गरिने एक महत्वपूर्ण घटक हो। यसको उत्कृष्ट प्रदर्शन मापदण्डहरू जस्तै थर्मल स्थिरता र थर्मल एकरूपताले पातलो फिल्म सामग्रीहरूमा उच्च स्तरको एकरूपता र शुद्धता सुनिश्चित गर्दै एपिटेक्सियल सामग्री वृद्धिको गुणस्तरमा निर्णायक भूमिका खेल्छ।

SiC Epitaxy Susceptor मा उत्कृष्ट घनत्व छ, उच्च तापमान र संक्षारक काम गर्ने वातावरणमा प्रभावकारी सुरक्षा प्रदान गर्दछ। थप रूपमा, यसको उच्च स्तरको सतह समतलताले सब्सट्रेट सतहमा एकल क्रिस्टल वृद्धिको लागि आवश्यकताहरू पूर्ण रूपमा पूरा गर्दछ।

SiC Epitaxy ससेप्टरमा थर्मल विस्तार भिन्नताहरूको न्यूनतम गुणांकले एपिटेक्सियल सब्सट्रेट र कोटिंग सामग्री बीचको बन्धन बललाई उल्लेखनीय रूपमा बढाउँछ, जसले गर्दा उच्च-तापमान थर्मल साइकल चलाउने अनुभव गरेपछि क्र्याक हुने सम्भावना कम हुन्छ।

एकै साथ, यसले उच्च थर्मल चालकता प्रदर्शन गर्दछ, चिप विकासको लागि द्रुत र समान ताप वितरणको सुविधा दिन्छ। यसबाहेक, यसको उच्च पग्लने बिन्दु, तापमान प्रतिरोध, अक्सीकरण प्रतिरोध, र जंग प्रतिरोध उच्च-तापमान र संक्षारक काम गर्ने वातावरणमा स्थिर सञ्चालन सक्षम गर्दछ।

MOCVD उपकरणको प्रतिक्रिया कक्ष भित्र एक महत्वपूर्ण घटकको रूपमा, SiC Epitaxy ससेप्टरले उच्च तापमान प्रतिरोध, समान थर्मल चालकता, राम्रो रासायनिक स्थिरता, र थर्मल झटका लागि बलियो प्रतिरोध जस्ता फाइदाहरू हुनुपर्दछ। Semicorex SiC Epitaxy Susceptor यी सबै आवश्यकताहरू पूरा गर्दछ।