सेमिकोरेक्सको आईसीपी प्लाज्मा इचिङ प्लेटले वेफर ह्यान्डलिंग र पातलो फिल्म डिपोजिसन प्रक्रियाहरूको लागि उच्च ताप र जंग प्रतिरोध प्रदान गर्दछ। हाम्रो उत्पादन उच्च तापमान र कठोर रासायनिक सफाई, स्थायित्व र दीर्घायु सुनिश्चित गर्न को लागी ईन्जिनियर गरिएको छ। सफा र चिल्लो सतहको साथ, हाम्रो क्यारियर पुरानो वेफरहरू ह्यान्डल गर्नको लागि उपयुक्त छ।
जब यो पातलो फिल्म डिपोजिसन र वेफर ह्यान्डलिङको कुरा आउँछ, Semicorex को ICP प्लाज्मा इचिङ प्लेटमा विश्वास गर्नुहोस्। हाम्रो उत्पादनले उच्च ताप र जंग प्रतिरोध, तापीय एकरूपता, र इष्टतम लामिनार ग्यास प्रवाह ढाँचाहरू प्रदान गर्दछ। सफा र चिल्लो सतहको साथ, हाम्रो क्यारियर पुरानो वेफरहरू ह्यान्डल गर्नको लागि उपयुक्त छ।
हाम्रो आईसीपी प्लाज्मा इचिङ प्लेटलाई थर्मल प्रोफाइलको समानता सुनिश्चित गर्दै उत्कृष्ट ल्यामिनार ग्यास प्रवाह ढाँचा प्राप्त गर्न डिजाइन गरिएको हो। यसले वेफर चिपमा उच्च-गुणस्तरको एपिटेक्सियल वृद्धि सुनिश्चित गर्दै कुनै पनि प्रदूषण वा अशुद्धता फैलाउनबाट रोक्न मद्दत गर्दछ।
हाम्रो ICP प्लाज्मा इचिङ प्लेटको बारेमा थप जान्नको लागि आज हामीलाई सम्पर्क गर्नुहोस्।
ICP प्लाज्मा इचिङ प्लेटको प्यारामिटरहरू
CVD-SIC कोटिंग को मुख्य निर्दिष्टीकरण |
||
SiC-CVD गुणहरू |
||
क्रिस्टल संरचना |
FCC β चरण |
|
घनत्व |
g/cm ³ |
3.21 |
कठोरता |
Vickers कठोरता |
2500 |
अनाज आकार |
μm |
२~१० |
रासायनिक शुद्धता |
% |
99.99995 |
गर्मी क्षमता |
J kg-1 K-1 |
640 |
उदात्तीकरण तापमान |
℃ |
2700 |
फेलेक्सरल शक्ति |
MPa (RT 4-बिन्दु) |
415 |
युवाको मोडुलस |
Gpa (4pt बेंड, 1300℃) |
430 |
थर्मल विस्तार (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
थर्मल चालकता |
(W/mK) |
300 |
ICP प्लाज्मा इचिङ प्लेटका विशेषताहरू
- छिलकाबाट बच्नुहोस् र सबै सतहमा कोटिंग सुनिश्चित गर्नुहोस्
उच्च तापमान ओक्सीकरण प्रतिरोध: 1600 डिग्री सेल्सियस सम्म उच्च तापमानमा स्थिर
उच्च शुद्धता: उच्च तापमान क्लोरिनेशन अवस्था अन्तर्गत CVD रासायनिक वाष्प निक्षेप द्वारा बनाईएको।
जंग प्रतिरोध: उच्च कठोरता, बाक्लो सतह र ठीक कणहरू।
जंग प्रतिरोध: एसिड, क्षार, नुन र जैविक अभिकर्मक।
- उत्तम लामिनार ग्याँस प्रवाह ढाँचा प्राप्त गर्नुहोस्
- थर्मल प्रोफाइल को समानता ग्यारेन्टी
- कुनै पनि प्रदूषण वा अशुद्धता फैलाउन रोक्नुहोस्