Semicorex को ICP सिलिकन कार्बन कोटेड ग्रेफाइट वेफर ह्यान्डलिंग र पातलो फिल्म डिपोजिसन प्रक्रियाहरूको माग गर्नको लागि आदर्श विकल्प हो। हाम्रो उत्पादनले उच्च ताप र जंग प्रतिरोध, तापीय एकरूपता, र इष्टतम लामिनार ग्यास प्रवाह ढाँचाहरू पनि गर्व गर्दछ।
एपिटेक्सियल ग्रोथ प्रशोधनमा प्रयोग हुने वेफर क्यारियरहरूले उच्च तापमान र कठोर रासायनिक सफाई सहनु पर्छ। Semicorex ICP सिलिकन कार्बन लेपित ग्रेफाइट ससेप्टरहरू विशेष गरी यी माग गर्ने एपिटेक्सी उपकरण अनुप्रयोगहरूको लागि ईन्जिनियर गरिएको छ। हाम्रो उत्पादन उच्च तापमान र कठोर रासायनिक सफाई, दीर्घायु र इष्टतम परिणाम सुनिश्चित गर्न को लागी ईन्जिनियर गरिएको छ।
हाम्रो ICP सिलिकन कार्बन कोटेड ग्रेफाइटलाई थर्मल प्रोफाइलको समानता सुनिश्चित गर्दै उत्कृष्ट ल्यामिनार ग्यास प्रवाह ढाँचा प्राप्त गर्न डिजाइन गरिएको हो। यसले वेफर चिपमा उच्च-गुणस्तरको एपिटेक्सियल वृद्धि सुनिश्चित गर्दै कुनै पनि प्रदूषण वा अशुद्धता फैलाउनबाट रोक्न मद्दत गर्दछ।
हाम्रो ICP सिलिकन कार्बन लेपित ग्रेफाइट बारे थप जान्नको लागि आज हामीलाई सम्पर्क गर्नुहोस्।
ICP सिलिकन कार्बन लेपित ग्रेफाइटको प्यारामिटरहरू
CVD-SIC कोटिंग को मुख्य निर्दिष्टीकरण |
||
SiC-CVD गुणहरू |
||
क्रिस्टल संरचना |
FCC β चरण |
|
घनत्व |
g/cm ³ |
3.21 |
कठोरता |
Vickers कठोरता |
2500 |
अनाज आकार |
μm |
२~१० |
रासायनिक शुद्धता |
% |
99.99995 |
गर्मी क्षमता |
J kg-1 K-1 |
640 |
उदात्तीकरण तापमान |
℃ |
2700 |
फेलेक्सरल शक्ति |
MPa (RT 4-बिन्दु) |
415 |
युवाको मोडुलस |
Gpa (4pt बेंड, 1300℃) |
430 |
थर्मल विस्तार (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
थर्मल चालकता |
(W/mK) |
300 |
ICP सिलिकन कार्बन लेपित ग्रेफाइट को विशेषताहरु
- छिलकाबाट बच्नुहोस् र सबै सतहमा कोटिंग सुनिश्चित गर्नुहोस्
उच्च तापमान ओक्सीकरण प्रतिरोध: 1600 डिग्री सेल्सियस सम्म उच्च तापमानमा स्थिर
उच्च शुद्धता: उच्च तापमान क्लोरिनेशन अवस्था अन्तर्गत CVD रासायनिक वाष्प निक्षेप द्वारा बनाईएको।
जंग प्रतिरोध: उच्च कठोरता, घने सतह र ठीक कणहरू।
जंग प्रतिरोध: एसिड, क्षार, नुन र जैविक अभिकर्मक।
- उत्तम लामिनार ग्याँस प्रवाह ढाँचा प्राप्त गर्नुहोस्
- थर्मल प्रोफाइल को समानता ग्यारेन्टी
- कुनै पनि प्रदूषण वा अशुद्धता फैलावट रोक्न