- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
समाचार
GaN र SiC: सहअस्तित्व वा प्रतिस्थापन?
उच्च शक्ति घनत्व र दक्षताको लागि पुश डाटा केन्द्रहरू, नवीकरणीय ऊर्जा, उपभोक्ता इलेक्ट्रोनिक्स, इलेक्ट्रिक वाहनहरू, र स्वायत्त ड्राइभिङ प्रविधिहरू सहित धेरै उद्योगहरूमा नवाचारको प्राथमिक चालक भएको छ। वाइड ब्यान्डग्याप (WBG) सामग्रीको दायरामा, ग्यालियम नाइट्राइड (GaN) र सिलिकन कार्बाइड (SiC) हाल दुई म......
थप पढ्नुहोस्
थर्मल फिल्ड के हो?
एकल क्रिस्टल बृद्धिको क्षेत्रमा, क्रिस्टल वृद्धि भट्टी भित्र तापमान वितरणले महत्त्वपूर्ण भूमिका खेल्छ। यो तापक्रम वितरण, सामान्यतया थर्मल क्षेत्र भनेर चिनिन्छ, एक महत्त्वपूर्ण कारक हो जसले क्रिस्टलको गुणस्तर र विशेषताहरूलाई प्रभाव पार्छ। थर्मल क्षेत्रलाई दुई प्रकारमा वर्गीकृत गर्न सकिन्छ: स्थिर र गत......
थप पढ्नुहोस्
कार्बन-आधारित सामग्री सतहहरूमा TaC कोटिंग्सको अनुसन्धान प्रगति
कार्बन-आधारित सामग्रीहरू जस्तै ग्रेफाइट, कार्बन फाइबर, र कार्बन/कार्बन (C/C) कम्पोजिटहरू तिनीहरूको उच्च विशिष्ट शक्ति, उच्च विशिष्ट मोडुलस, र उत्कृष्ट थर्मल गुणहरूका लागि परिचित छन्, जसले तिनीहरूलाई उच्च-तापमान अनुप्रयोगहरूको विस्तृत दायराको लागि उपयुक्त बनाउँछ। । यी सामग्रीहरू एयरोस्पेस, केमिकल इन्......
थप पढ्नुहोस्
ग्यालियम नाइट्राइड (GaN) सब्सट्रेट को के आवेदन?
ग्यालियम नाइट्राइड (GaN) अर्धचालक टेक्नोलोजीमा एक महत्त्वपूर्ण सामग्री हो, यसको असाधारण इलेक्ट्रोनिक र अप्टिकल गुणहरूको लागि परिचित छ। GaN, एक वाइड-ब्यान्डग्याप सेमीकन्डक्टरको रूपमा, लगभग 3.4 eV को ब्यान्डग्याप ऊर्जा छ, जसले यसलाई उच्च-शक्ति र उच्च-फ्रिक्वेन्सी अनुप्रयोगहरूको लागि आदर्श बनाउँछ।
थप पढ्नुहोस्
