LED को लागि PSS Etching क्यारियर ट्रे

Semicorex मा, हामीले PSS Etching क्यारियर ट्रे LED को लागि विशेष गरी एपिटाक्सियल वृद्धि र वेफर ह्यान्डलिङ प्रक्रियाहरूको लागि आवश्यक कठोर वातावरणको लागि डिजाइन गरेका छौं। हाम्रो अल्ट्रा-प्योर ग्रेफाइट क्यारियर पातलो-फिल्म डिपोजिसन चरणहरू जस्तै MOCVD, एपिटाक्सी ससेप्टरहरू, प्यानकेक वा स्याटेलाइट प्लेटफर्महरू, र नक्काशी जस्ता वेफर ह्यान्डलिंग प्रशोधनका लागि उपयुक्त छ। SiC लेपित क्यारियरमा उच्च ताप र जंग प्रतिरोध, उत्कृष्ट ताप वितरण गुणहरू, र उच्च थर्मल चालकता छ। LED को लागि हाम्रो PSS Etching क्यारियर ट्रे लागत-प्रभावी छ र राम्रो मूल्य लाभ प्रदान गर्दछ। हामी धेरै युरोपेली र अमेरिकी बजारहरू पूरा गर्छौं र चीनमा तपाईंको दीर्घकालीन साझेदार बन्न तत्पर छौं।

सोधपुछ पठाउनुहोस्

उत्पादन विवरण

LED को लागि Semicorex को PSS Etching वाहक ट्रे epitaxial वृद्धि र वेफर ह्यान्डलिंग प्रक्रियाहरूको लागि आवश्यक कठोर वातावरणको लागि ईन्जिनियर गरिएको छ। हाम्रो अल्ट्रा-प्योर ग्रेफाइट वाहक MOCVD र एपिटाक्सी ससेप्टरहरू, प्यानकेक वा स्याटेलाइट प्लेटफर्महरू जस्ता पातलो-फिल्म डिपोजिसन चरणहरूमा वेफरहरूलाई समर्थन गर्न डिजाइन गरिएको हो। SiC लेपित क्यारियरमा उच्च ताप र जंग प्रतिरोध, उत्कृष्ट ताप वितरण गुणहरू, र उच्च थर्मल चालकता छ। हाम्रा उत्पादनहरू लागत-प्रभावी छन् र राम्रो मूल्य लाभ छ। हामी धेरै युरोपेली र अमेरिकी बजारहरू पूरा गर्छौं र चीनमा तपाईंको दीर्घकालीन साझेदार बन्न तत्पर छौं।

LED को लागी हाम्रो PSS Etching क्यारियर ट्रे को बारे मा अधिक जान्नको लागि आज हामीलाई सम्पर्क गर्नुहोस्।

LED को लागि PSS Etching क्यारियर ट्रे को प्यारामिटरहरू

CVD-SIC कोटिंग को मुख्य निर्दिष्टीकरण
SiC-CVD गुणहरू
क्रिस्टल संरचना	FCC β चरण
घनत्व	g/cm ³	3.21
कठोरता	Vickers कठोरता	2500
अनाज आकार	μm	२~१०
रासायनिक शुद्धता	%	99.99995
गर्मी क्षमता	J kg-1 K-1	640
उदात्तीकरण तापमान	℃	2700
फेलेक्सरल शक्ति	MPa (RT 4-बिन्दु)	415
युवाको मोडुलस	Gpa (4pt बेंड, 1300℃)	430
थर्मल विस्तार (C.T.E)	10-6K-1	4.5
थर्मल चालकता	(W/mK)	300