SiC-लेपित ICP कम्पोनेन्ट

Semicorex को SiC-Coated ICP कम्पोनेन्ट विशेष गरी उच्च-तापमान वेफर ह्यान्डलिंग प्रक्रियाहरू जस्तै epitaxy र MOCVD को लागि डिजाइन गरिएको हो। राम्रो SiC क्रिस्टल कोटिंगको साथ, हाम्रा वाहकहरूले उच्च ताप प्रतिरोध, तापीय एकरूपता र टिकाऊ रासायनिक प्रतिरोध प्रदान गर्दछ।

सोधपुछ पठाउनुहोस्

उत्पादन विवरण

Semicorex को SiC-Coated ICP कम्पोनेन्ट उच्च-तापमान र रासायनिक प्रतिरोध आवश्यक वेफर ह्यान्डलिंग प्रक्रियाहरूको लागि शीर्ष विकल्प हो। हाम्रा वाहकहरूले थर्मल प्रोफाइलहरू, ल्यामिनार ग्यास प्रवाह ढाँचाहरू पनि प्रदान गर्छन्, र हाम्रो राम्रो SiC क्रिस्टललाई दूषित वा अशुद्धता फैलाउनबाट रोक्छन्। राम्रो SiC क्रिस्टल कोटिंगको साथ, हाम्रा वाहकहरूले उच्च ताप प्रतिरोध, तापीय एकरूपता र टिकाऊ रासायनिक प्रतिरोध प्रदान गर्दछ।
Semicorex मा, हामी हाम्रा ग्राहकहरूलाई उच्च-गुणवत्ता, लागत-प्रभावी उत्पादनहरू उपलब्ध गराउनमा केन्द्रित छौं। हाम्रो SiC-Coated ICP कम्पोनेन्टको मूल्य लाभ छ र धेरै युरोपेली र अमेरिकी बजारहरूमा निर्यात गरिन्छ। हामी तपाईंको दीर्घकालीन साझेदार बन्ने लक्ष्य राख्छौं, निरन्तर गुणस्तर उत्पादनहरू र असाधारण ग्राहक सेवा प्रदान गर्दै।
हाम्रो SiC-Coated ICP कम्पोनेन्ट बारे थप जान्नको लागि आज हामीलाई सम्पर्क गर्नुहोस्।

SiC-लेपित ICP कम्पोनेन्टको प्यारामिटरहरू

CVD-SIC कोटिंग को मुख्य निर्दिष्टीकरण
SiC-CVD गुणहरू
क्रिस्टल संरचना	FCC β चरण
घनत्व	g/cm ³	3.21
कठोरता	Vickers कठोरता	2500
अनाज आकार	μm	२~१०
रासायनिक शुद्धता	%	99.99995
गर्मी क्षमता	J kg-1 K-1	640
उदात्तीकरण तापमान	℃	2700
फेलेक्सरल शक्ति	MPa (RT 4-बिन्दु)	415
युवाको मोडुलस	Gpa (4pt बेंड, 1300℃)	430
थर्मल विस्तार (C.T.E)	10-6K-1	4.5
थर्मल चालकता	(W/mK)	300